[发明专利]集成电路封装

权利要求书

1.一种集成电路（IC）封装，包括：

在一个面上具有多个接触件的管芯；

在所述管芯的面上的电介质材料，其中，所述电介质材料与所述多个接触件接触并且具有大于所述管芯的面积的面积；以及

延伸通过所述电介质材料的具有第一端和第二端的导电通路，其中，所述第一端电耦合到所述多个接触件的单独接触件，并且其中，所述第二端在所述电介质材料的顶表面处并且定位在所述管芯的面积之外。

2.根据权利要求1所述的IC封装，其中，所述导电通路对角地延伸通过所述电介质材料。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的IC封装，其中，所述电介质材料包括高分子化合物、聚树脂模制化合物、弹性体模制化合物和硅中的一种或多种。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的IC封装，其中，所述电介质材料的最大厚度小于或等于1.5毫米。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的IC封装，其中，所述导电通路包括铜、焊料、锡、镍、铝、钛、不锈钢、铍、钼、钨、碳化硅和碳化钨中的一种或多种。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的IC封装，其中，所述导电通路的长度在0.5毫米和500毫米之间。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的IC封装，其中，所述导电通路的厚度在30微米和300微米之间。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的IC封装，还包括在所述多个接触件上的金属种子层。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的IC封装，还包括在所述导电通路的第二端上的焊料。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的IC封装，还包括：

延伸通过所述电介质材料的具有第三端和第四端的第二导电通路，其中，所述第三端电耦合到所述多个接触件的第二单独接触件，并且其中，所述第四端在所述电介质材料的顶表面处；以及

延伸通过所述电介质材料的具有第五端和第六端的第三导电通路，其中，所述第五端电耦合到所述多个接触件的第三单独接触件，并且其中，所述第六端电耦合到在所述电介质材料的顶表面处的所述第四端。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的IC封装，还包括：

电路板，其中，所述管芯经由所述导电通路电耦合到所述电路板。

12.一种集成电路（IC）结构，包括：

在一个面上具有多个第一接触件的管芯；

与所述管芯的面接触的电介质层；以及

第一导电通路，其连接到所述多个第一接触件的第一单独接触件并且相对于所述管芯的面对角地延伸通过所述电介质层。

13.根据权利要求12所述的IC结构，其中，所述第一导电通路延伸到所述电介质层的顶表面。

14.根据权利要求12-13中任一项所述的IC结构，还包括：

第二导电通路，其连接到所述多个第一接触件中的第二单独接触件并且对角地延伸通过所述电介质层以在所述电介质层的顶表面处与所述第一导电通路电耦合。

15.根据权利要求12-14中任一项所述的IC结构，其中，所述电介质层包括高分子化合物、聚树脂模制化合物、弹性体模制化合物和硅中的一种或多种。

16.根据权利要求12-15中任一项所述的IC结构，其中，所述第一导电通路包括铜、焊料、锡、镍、铝、钛、不锈钢、铍、钼、钨、碳化硅和碳化钨中的一种或多种。