[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201811109691.3 申请日: 2018-09-21
公开(公告)号: CN109585385B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 田中洋树 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/24 分类号: H01L23/24;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具有:

散热板;

树脂绝缘层,其形成在所述散热板之上;

树脂块,其是以将所述散热板的端部和所述树脂绝缘层的端部无间隙地覆盖的方式环状地固接的,由树脂构成;

壳体,其将所述树脂块覆盖;以及

封装材料,其填充于所述壳体内部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述散热板的端部呈在端部侧面的中央部成为凸部的形状,

所述树脂块具有与所述端部侧面的凸形状对应的凹部。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述树脂块是以将所述树脂绝缘层的表面的一部分也无间隙地覆盖的方式固接的。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述壳体经由粘接材料而与所述树脂块粘接。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述封装材料由环氧类树脂构成。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

在所述树脂绝缘层之上形成配线层,

所述半导体装置还具有半导体元件,该半导体元件经由焊料而与所述配线层接合,由SiC构成。

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