[发明专利]基板检查装置及基板检查方法有效
申请号: | 201811109766.8 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109557448B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 椹木雅也 | 申请(专利权)人: | 日本电产理德股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市右京区西京极*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 方法 | ||
本发明提供一种基板检查装置以及基板检查方法。基板检查装置(1)是对形成有相互邻接并相向的配线(P1)、配线(P2)的基板(100)进行检查的基板检查装置,具备:第一探针(Pr),用于接触配线(P1)的一端部;第二探针(Pr),用于接触配线(P2)的一端部;电容测定部(31),经由第一探针(Pr)及第二探针(Pr),而将配线(P1)与配线(P2)之间的静电电容作为线间电容(Cx)来测定;以及第一判定部(22),根据线间电容(Cx)来判定配线(P1)、配线(P2)中的至少一个配线的状态。
技术领域
本发明涉及一种对基板进行检查的基板检查装置及基板检查方法。
背景技术
从前以来,已知有如下的技术:使检查对象的电路基板密接在上表面粘贴有绝缘膜的平板状的电极的所述绝缘膜上,以测定形成在电路基板上表面的焊盘(land)与电极之间的静电电容,并对所测定的静电电容与从良品基板获得的检查用基准数据进行比较,由此检查电路基板上表面的焊盘与电路基板下表面的焊盘之间的导通状态(例如,参照日本专利公开公报特开2001-13192号公报)。
但是,在所述技术中,形成在电路基板上表面的配线图案与电极,相隔了将电路基板的厚度与绝缘膜的厚度相加所得的厚度而相对向,因此,配线图案与电极的距离变长。配线图案和电极之间产生的静电电容与配线图案和电极的距离成反比,因此,若配线图案与电极的距离变长,则配线图案与电极之间产生的静电电容减少。
因此,形成在电路基板上表面的配线图案与电极之间产生的静电电容,变得比形成在电路基板下表面的配线图案与电极之间产生的静电电容小。其结果是,与对于形成在电路基板下表面的配线图案的检查精度相比,对于形成在电路基板上表面的配线图案的检查精度会下降。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种基板检查装置及基板检查方法,可减少由配线图案的位置所引起的检查精度的变化。
本发明的基板检查装置是对形成有相互邻接并相向的第一配线与第二配线的基板进行检查的基板检查装置,具备:第一探针,用于接触所述第一配线的一端部;第二探针,用于接触所述第二配线的一端部;电容测定部,经由所述第一探针及所述第二探针,而将所述第一配线与所述第二配线之间的静电电容作为线间电容来测定;以及第一判定部,根据所述线间电容,来判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的状态。
另外,本发明的基板检查方法是对形成有相互邻接并相向的第一配线与第二配线的基板进行检查的基板检查方法,包括:(a)使第一探针接触所述第一配线的一端部的工序;(b)使第二探针接触所述第二配线的一端部的工序;(c)经由所述第一探针及所述第二探针,而将所述第一配线与所述第二配线之间的静电电容作为线间电容来测定的工序;以及(d)根据所述线间电容,来判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的状态的工序。
根据这些结构,测定相互邻接并相向的第一配线与第二配线之间的线间电容,并根据所述线间电容来判定配线的状态。在此情况下,不存在如背景技术般,在基板上表面的配线与基板下表面的配线中静电电容变化的情况,因此,可减少由配线图案的位置所引起的检查精度的变化。
另外,优选的是,当所述线间电容大于作为事先设定的范围的上限值的线间上限值时,所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的线宽为粗。
根据此结构,在第一配线与第二配线中的至少一个配线的粗度脱离事先设定的范围而变粗的情况下,可判定线宽为粗。
另外,优选的是,当所述线间电容小于作为事先设定的范围的下限值的线间下限值时,所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的线宽为细或为断线不良。
根据此结构,在第一配线与第二配线中的至少一个配线的粗度,变得比事先设定的范围细的情况或已断线的情况下,可判定线宽为细或为断线不良。
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