[发明专利]镀覆装置

说明书

镀覆装置具有：镀覆槽；基板保持架，该基板保持架配置于所述镀覆槽，用于保持基板；阳极，该阳极用于在与所述基板之间产生电场；以及至少一个电场遮蔽体，该至少一个电场遮蔽体用于遮蔽所述基板保持架和所述电场的一部分或者全部，所述电场遮蔽体具有使所述基板与所述阳极之间的电场穿过的开口部，并且，所述电场遮蔽体构成为能够独立地调整所述开口部的第一方向上的开口尺寸以及第二方向上的开口尺寸。

技术领域

本发明涉及镀覆装置。

背景技术

以往，在设置于半导体晶片等基板的表面的微细的配线用槽、孔、或者抗蚀剂开口部形成配线、或者在基板的表面形成与封装的电极等电连接的凸点(突起状电极)。作为形成该配线和凸点的方法，公知有例如电解镀覆法、蒸镀法、印刷法、球凸点法等。伴随着半导体芯片的I/O数的增加、细间距化，多数情况下使用能够实现微细化且性能比较稳定的电解镀覆法。

在利用电解镀覆法形成配线或者凸点的情况下，在设置于基板上的配线用槽、孔、或者抗蚀剂开口部的阻挡金属的表面形成有电阻较低的籽晶层(供电层)。在该籽晶层的表面上，镀覆膜成长。近年来，伴随着配线和凸点的微细化，使用更薄的膜厚的籽晶层。当籽晶层的膜厚变薄时，籽晶层的电阻(薄膜电阻)增加。

通常情况下，被镀覆的基板在其周缘部具有电接点。因此，在基板的中央部流过与镀覆液的电阻值和从基板的中央部到电接点的籽晶层的电阻值的合成电阻对应的电流。另一方面，在基板的周缘部(电接点附近)大致流过与镀覆液的电阻值对应的电流。即，在基板的中央部不容易流过与从基板的中央部到电接点的籽晶层的电阻值对应的电流。电流集中于该基板的周缘部的现象被称为终端效应。

在具有比较薄的膜厚的籽晶层的基板中，从基板的中央部到电接点的籽晶层的电阻值比较大。因此，在对具有比较薄的膜厚的籽晶层的基板进行镀覆的情况下，终端效应变得明显。并且，基板越大型化，则从基板的中央部到电接点的籽晶层的电阻值越大。其结果为，基板的中央部的镀覆速度降低，基板的中央部的镀覆膜的膜厚比基板的周缘部的镀覆膜薄，膜厚的面内均匀性有可能降低。

为了抑制由于终端效应而导致的膜厚的面内均匀性的降低，需要调整施加给基板的电场。公知有日本特开2016-98399号公报(专利文献1)中记载的具有阳极掩模的镀覆装置，该阳极掩模能够调整从阳极朝向圆形的基板的电场。并且，公知有日本特开平6-17297号公报(专利文献2)中记载的在基板与阳极之间在远离阳极的位置设置有电流阻止部的镀覆装置。

但是，在不是对圆形的半导体晶片那样的圆形基板而是对矩形或者方形的基板进行镀覆的情况下，应该处理的基板的纵横尺寸比是各种各样的。通过镀覆来埋入金属的凹部等图案的配置的变动也会增加。要想对这样的矩形的基板进行膜厚均匀性良好的镀覆，利用以往的电流阻止单元无法充分地进行电场的控制。并且，即使是矩形以外的例如圆形的基板，也有时希望使外周部分的镀覆膜厚更均匀。

专利文献1：日本特开2016-98399号公报

专利文献2：日本特开平6-17297号公报

发明内容

本发明的目的在于，提高镀覆装置的电场调整功能。

用于解决课题的手段

本发明的一个方式涉及镀覆装置，该镀覆装置具有：镀覆槽；基板保持架，该基板保持架配置于所述镀覆槽，用于保持基板；阳极，该阳极与所述基板保持架对置配置；以及至少一个电场遮蔽体，该电场遮蔽体用于遮蔽从所述阳极朝向所述基板的电场的一部分，所述电场遮蔽体具有使所述基板与所述阳极之间的电场通过的开口部，并且，所述电场遮蔽体构成为能够独立地调整所述开口部的第一方向上的开口尺寸以及第二方向上的开口尺寸。