[发明专利]具有采用改善引线设计的引线框架的封装体及其制造

权利要求书

1.一种半导体封装体，包括：

引线框架，具有第一侧和第二侧，所述引线框架包括：

刻印引线，具有在所述引线框架的所述第一侧的第一刻印区域，所述第一刻印区域包括：第一凹部，所述第一凹部朝向所述刻印引线的第二侧延伸进入所述刻印引线的第一侧，所述第一凹部具有位于所述刻印引线内的第一端；第一高区域，被所述第一凹部围绕，所述第一高区域的表面与所述第一凹部的第一端具有间隔；

裸片焊盘，具有在所述第一侧的第二刻印区域，所述第二刻印区域包括：第二凹部，所述第二凹部朝向所述裸片焊盘的第二侧延伸进入所述裸片焊盘的第一侧，第二凹部具有位于所述裸片焊盘内的第二端；第二高区域，被所述第二凹部围绕，所述第二高区域的表面与所述第二凹部的第二端具有间隔；

分立电子组件，具有电耦合并物理耦合到所述第一高区域的第一端和电耦合并物理耦合到所述第二高区域的第二端；

裸片，电耦合并物理耦合到所述裸片焊盘的第一端，所述裸片与所述分立电子组件具有间隔；和

模制化合物，包封所述引线框架、所述裸片和所述分立电子组件。

2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中导电粘合剂将所述分立电子组件耦合到所述第一刻印区域和所述第二刻印区域。

3.根据权利要求2所述的半导体封装体，其中所述导电粘合剂将所述分立电子组件的第一端耦合到所述刻印引线的第一高区域。

4.根据权利要求2所述的半导体封装体，其中所述第一凹部被配置为容纳将所述分立电子组件耦合到所述第一刻印区域的导电粘合剂的溢出。

5.根据权利要求2所述的半导体封装体，其中所述导电粘合剂将所述分立电子组件的第二端耦合到所述裸片焊盘的第二高区域。

6.根据权利要求2所述的半导体封装体，其中所述第二凹部被配置为容纳将所述分立电子组件耦合到所述第二刻印区域的导电粘合剂的溢出。

7.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中粘合剂将所述裸片耦合到所述裸片焊盘，并且所述裸片与所述裸片焊盘的第二刻印区域相邻。

8.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述刻印引线和所述裸片焊盘具有在所述引线框架的第二侧上的、被第一导电材料覆盖的表面，所述第一导电材料是选择性化学抗蚀的导电材料。

9.一种半导体封装体，包括：

引线框架，具有第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对，所述引线框架包括：

多个刻印引线，每个刻印引线具有第一刻印区域和位于所述第一表面和所述第二表面之间的第一高度，所述第一刻印区域包括丘和槽，所述槽与所述丘相邻并且围绕所述丘，所述槽朝向所述第二表面延伸进入所述第一表面第二高度，所述第二高度小于所述第一高度；

裸片焊盘，具有第二刻印区域和所述第一高度，所述第二刻印区域包括丘和槽，所述槽与所述丘相邻并且围绕所述丘，所述槽朝向所述引线框架的第二表面延伸进入所述引线框架的第一表面第三高度，所述第三高度小于所述第一高度；

第一分立电子组件，电耦合并物理耦合到所述多个刻印引线的第一丘和第二丘之间；

第二分立电子组件，电耦合并物理耦合到所述多个刻印引线的第三丘和所述裸片焊盘的所述第二刻印区域的第四丘之间；

裸片，电耦合并物理耦合到所述裸片焊盘的第一表面，所述裸片与所述第一分立电子组件和所述第二分立电子组件具有间隔；和

模制化合物，包封所述引线框架、所述第一分立电子组件、所述第二分立电子组件和所述裸片。

10.根据权利要求9所述的半导体封装体，还包括：

多个引线；

第一电连接件，电耦合并物理耦合在所述多个刻印引线中的至少一个刻印引线与所述裸片之间；和

第二电连接件，电耦合并物理耦合在所述多个引线中的一个引线与所述裸片之间，所述第一电连接件和所述第二电连接件是导线。