[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201811115483.4 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109273498B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括多个像素,每个所述像素包括多个子像素,其特征在于,针对每个所述子像素,所述子像素包括衬底基板、绝缘层、彩色滤光层、平坦层以及有机发光单元,所述绝缘层覆盖于所述衬底基板上,所述绝缘层上开设有第一开口,所述彩色滤光层至少有一部分填充满所述第一开口,所述平坦层覆盖于所述绝缘层上且将所述彩色滤光层的表面覆盖,所述有机发光单元设置于所述平坦层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一开口贯穿所述绝缘层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述子像素还包括透明刻蚀阻挡层,所述透明刻蚀阻挡层位于所述彩色滤光层与所述衬底基板之间。
4.根据权利要求1~3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述子像素还包括覆盖于所述衬底基板上的遮光层、覆盖于所述衬底基板上且将所述遮光层的表面覆盖的缓冲层、以及设置于所述缓冲层上的顶栅型薄膜晶体管,所述顶栅型薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;
所述子像素还包括像素电容,所述像素电容包括第一导电层和第二导电层;所述第一导电层覆盖于所述衬底基板上且位于所述缓冲层内,并且所述第一导电层通过第一过孔与所述漏极电连接,相邻两个所述子像素的所述第一导电层相绝缘;所述第二导电层与所述漏极覆盖于同一绝缘层上,所述第二导电层与所述栅极电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层覆盖于所述第一导电层上且与所述第一导电层电连接,所述遮光层通过所述第一过孔与所述漏极电连接。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述子像素还包括将所述源极、所述漏极、所述第二导电层的表面覆盖的钝化层;所述绝缘层包括所述缓冲层以及所述钝化层,所述平坦层覆盖于所述钝化层上;
所述有机发光单元包括至少有一部分覆盖于所述平坦层上的透明电极,所述透明电极通过第二过孔与所述第一导电层电连接,所述透明电极包括第一区域,所述第一区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述平坦层上开设有贯穿所述平坦层的第二开口,所述第一区域覆盖于所述钝化层上且位于所述第二开口内。
8.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求8所述的显示面板。
10.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成第一开口;
形成彩色滤光层,以使至少有一部分所述彩色滤光层填充满所述第一开口;
在所述绝缘层上形成平坦层,以将所述彩色滤光层的表面覆盖;
在所述平坦层上形成有机发光单元。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成绝缘层具体包括以下步骤:
在所述衬底基板上覆盖导电膜并图形化,以形成第一导电层;其中,位于相邻两个子像素区域内的所述第一导电层相隔设置;
在所述衬底基板上覆盖遮光膜并图形化,以形成遮光层;
在所述衬底基板上形成缓冲层,以将所述第一导电层、所述遮光层的表面覆盖;
在所述缓冲层上形成顶栅型薄膜晶体管;其中,所述顶栅型薄膜晶体管包括源极和漏极,所述漏极通过第一过孔与所述第一导电层电连接;
在所述源极和所述漏极所覆盖的层间电介层上形成第二导电层,以使所述第二导电层与所述第一导电层形成像素电容;
在所述层间电介层上形成钝化层,以将所述源极、所述漏极、所述第二导电层的表面覆盖;
其中,所述绝缘层包括所述缓冲层、所述层间电介层以及所述钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的