[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201811115483.4 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109273498B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域,为解决相关技术中的阵列基板中的有机发光单元所发出的光线亮度衰减较大的问题而发明。该阵列基板,包括多个像素,每个所述像素包括多个子像素,针对每个所述子像素,所述子像素包括衬底基板、绝缘层、彩色滤光层、平坦层以及有机发光单元,所述绝缘层覆盖于所述衬底基板上,所述绝缘层上开设有第一开口,所述彩色滤光层至少有一部分填充于所述第一开口内,所述平坦层覆盖于所述绝缘层上且将所述彩色滤光层的表面覆盖,所述有机发光单元设置于所述平坦层上。本发明可用于OLED显示装置中。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有白发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180度视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
其中,对比度是OLED的一项重要的指标,较高的对比度能够给用户带来良好的视觉体验;显示装置的对比度就是:在暗室中,白色画面(最亮时)下的亮度除以黑色画面(最暗时)下的亮度所得到的值。由此可见,提高最高显示亮度对提高对比度具有重要的意义。
相关技术中的一种OLED的阵列基板,如图1所示,包括多个像素,每个像素包括多个子像素,对于每个子像素,沿垂直于阵列基板的厚度方向,子像素包括衬底基板01、绝缘层02、彩色滤光层03、平坦层04以及有机发光单元05。
相关技术中的这种阵列基板,在工作时,有机发光单元05所发出的光需要依次经过平坦层04、彩色滤光层03、绝缘层02(例如图1中所示的钝化层021、层间电介层022以及缓冲层023)等膜层,由于各个膜层对有机发光单元05所发出的光有一定的吸收,造成有机发光单元05所发出的光的亮度衰减,这样对提高OLED的显示亮度不利。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,用于解决相关技术中的阵列基板中的有机发光单元所发出的光线亮度衰减较大的问题。
为达到上述目的,第一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括多个像素,每个所述像素包括多个子像素,针对每个所述子像素,所述子像素包括衬底基板、绝缘层、彩色滤光层、平坦层以及有机发光单元,所述绝缘层覆盖于所述衬底基板上,所述绝缘层上开设有第一开口,所述彩色滤光层至少有一部分填充于所述第一开口内,所述平坦层覆盖于所述绝缘层上且将所述彩色滤光层的表面覆盖,所述有机发光单元设置于所述平坦层上。
进一步地,所述第一开口贯穿所述绝缘层设置。
进一步地,所述子像素还包括透明刻蚀阻挡层,所述透明刻蚀阻挡层位于所述彩色滤光层与所述衬底基板之间。
进一步地,所述子像素还包括覆盖于所述衬底基板上的遮光层、覆盖于所述衬底基板上且将所述遮光层的表面覆盖的缓冲层、以及设置于所述缓冲层上的顶栅型薄膜晶体管,所述顶栅型薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;所述子像素还包括像素电容,所述像素电容包括第一导电层和第二导电层;所述第一导电层覆盖于所述衬底基板上且位于所述缓冲层内,并且所述第一导电层通过第一过孔与所述漏极电连接,相邻两个所述子像素的所述第一导电层相绝缘;所述第二导电层与所述漏极覆盖于同一绝缘层上,所述第二导电层与所述栅极电连接。
更进一步地,所述遮光层覆盖于所述第一导电层上且与所述第一导电层电连接,所述遮光层通过所述第一过孔与所述漏极电连接
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的