[发明专利]一种制备有序金纳米帽阵列的方法

权利要求书

1.一种制备有序金纳米帽阵列的方法，其特征在于包括如下步骤：将高纯铝箔置于丙酮中超声清洗以去除表面油污，然后置于体积比为6∶1的乙醇和高氯酸混合溶液中进行电化学抛光，电压为12-14V，时间为6-8min，经去离子水冲洗并氮气吹干后，得到表面呈光滑镜面的铝箔；将抛光后的铝箔置于浓度为0.5mol/L的草酸溶液中，在直流电压34-38V下进行阳极氧化2.5-3.5h，温度维持在6-8℃，接着将样品置于60-70℃的铬酸和磷酸等体积混合溶液中3-4h以去除之前制备的氧化铝层，随后再次进行阳极氧化，时间和条件与第一次阳极氧化时相同，从而得到高度有序的PAA模板；将样品置于饱和氯化铜溶液中去除铝基底，使PAA的阻挡层暴露出来，利用电子束蒸发镀膜机将金沉积在PAA阻挡层表面，真空度为4×10⁻³Pa，沉积速率为0.3-0.4Å/s，沉积厚度为28nm，即得；各原料均为重量份。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：电压为13V。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：时间为7min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在直流电压36V下进行阳极氧化3h。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：温度维持在7℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：将样品置于65℃的铬酸和磷酸等体积混合溶液中3.5h以去除之前制备的氧化铝层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：沉积速率为0.35Å/s。