[发明专利]一种悬浮梁-膜结构的制备方法

权利要求书

1.一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤一、采用P型单晶硅片作为衬底基片(1)，并对该衬底基片(1)进行清洗；

步骤二、在清洗后的衬底基片(1)上生长出氧化层(2)；

步骤三、在氧化层(2)上生长出钝化层(3)；

步骤四、对钝化层(3)和氧化层(2)进行光刻，使其在钝化层(3)和氧化层(2)上形成悬浮梁-膜释放区(4)；

步骤五、使悬浮梁-膜释放区(4)下方所对应的衬底基片(1)浅表层形成多孔硅层(5)；

步骤六、在多孔硅层(5)上方的悬浮梁-膜释放区(4)内生长出悬浮梁-膜结构层(6)；

步骤七、对悬浮梁-膜结构层(6)进行光刻，使其在悬浮梁-膜结构层(6)的左右两侧上形成两个多孔硅层释放窗口(7)；

步骤八、腐蚀掉多孔硅层(5)，在悬浮梁-膜结构层(6)和衬底基片(1)之间形成多孔硅层释放区(8)，完成悬浮梁-膜结构的制备。

2.根据权利要求1所述的一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，还包括步骤五一，步骤五一位于步骤五和步骤六之间，且步骤五一具体为：

利用氢氟酸与无水乙醇形成的混合浓度为15％的溶液去除衬底基片(1)上剩余的钝化层(3)和氧化层(2)。

3.根据权利要求1所述的一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，步骤一中，衬底基片(1)为电阻率为0.01Ω·cm至0.02Ω·cm的P型双抛单晶硅片。

4.根据权利要求1所述的一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，步骤三中，在氧化层(2)上生长出钝化层(3)的实现方式为：采用LPCVD方法实现。

5.根据权利要求1所述的一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，步骤五中，使悬浮梁-膜释放区(4)下方所对应的衬底基片(1)上形成多孔硅层(5)的具体实现方式为：

利用电化学腐蚀方式对悬浮梁-膜释放区(4)下方所对应的衬底基片(1)进行电化学腐蚀，从而使悬浮梁-膜释放区(4)下方所对应的衬底基片(1)上形成多孔硅层(5)。

6.根据权利要求5所述的一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，所述利用电化学腐蚀方式对悬浮梁-膜释放区(4)下方所对应的衬底基片(1)进行电化学腐蚀，从而使悬浮梁-膜释放区(4)下方所对应的衬底基片(1)上形成多孔硅层(5)的具体过程为：

采用电流密度为50mA/cm²、氢氟酸与无水乙醇形成的电解液，对悬浮梁-膜释放区(4)下方所对应的衬底基片(1)进行电化学腐蚀30min，从而使悬浮梁-膜释放区(4)下方所对应的衬底基片(1)上形成多孔硅层(5)。

7.根据权利要求6所述的一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，所述电解液的浓度百分比为15％。

8.根据权利要求1所述的一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，步骤六中，在多孔硅层(5)上方生长出悬浮梁-膜结构层(6)的实现方式为：利用PECVD、电子束蒸发或真空镀膜实现。

9.根据权利要求1所述的一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，步骤八中，腐蚀两个多孔硅层释放窗口(7)和悬浮梁-膜结构层(6)下方所对应的多孔硅层(5)采用氢氧化钾或四甲基氢氧化铵溶液实现。

10.根据权利要求1所述的一种悬浮梁-膜结构的制备方法，其特征在于，氧化层(2)的厚度为至钝化层(3)的厚度为至悬浮梁-膜结构层(6)的厚度为1-3μm。