[发明专利]温敏细胞培养表面及其制备方法

权利要求书

1.一种温敏细胞培养表面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)温敏液的制备：将温敏性单体、交联剂加入极性溶剂中，混合均匀即得所述温敏液；

2)表面预处理：将细胞培养装置放入等离子发生器内进行等离子处理，处理时间为15s～30s；

3)涂布处理：将所述温敏液均匀的涂布在表面预处理后的细胞培养装置的培养面上；

4)辐照处理：将涂布处理后的细胞培养装置置于高能电子发射器中进行高能电子束辐射接枝处理；

5)清洗处理：对辐照处理后的所述细胞培养装置进行清洗。

2.根据权利要求1所述的温敏细胞培养表面的制备方法，其特征在于，所述表面预处理的处理时间为20s～30s。

3.根据权利要求1或2所述的温敏细胞培养表面的制备方法，其特征在于，所述温敏性单体为N-异丙基丙烯酰胺、N-异丙基甲基丙烯酰胺、N-丙基丙烯酰胺以及N-丙基-2-甲基丙烯酰胺中的至少一种；

所述交联剂为偶氮二异丁腈或亚甲基双丙烯酰胺。

4.根据权利要求1或2所述的温敏细胞培养表面的制备方法，其特征在于，所述温敏液的制备包括以下步骤：先将所述交联剂以及所述温敏性单体加入所述极性溶剂中，搅拌均匀，得到所述温敏性单体的质量浓度为3％～7％的预聚液；再向所述预聚液中继续添加所述温敏性单体至其终质量浓度为75％～85％，搅拌均匀，即得所述温敏液。

5.根据权利要求1或2所述的温敏细胞培养表面的制备方法，其特征在于，所述温敏液的制备包括以下步骤：先将所述温敏性单体加入所述溶剂中，再将所述交联剂加入所述溶剂中，搅拌均匀，获得所述温敏性单体质量浓度为60％～70％的温敏液。

6.根据权利要求1或2所述的温敏细胞培养表面的制备方法，其特征在于，所述涂布处理的温敏液的用量为1.5μl/cm²～4μl/cm²。

7.根据权利要求1或2所述的温敏细胞培养表面的制备方法，其特征在于，所述辐照处理的辐射剂量为200KGy～500KGy。

8.根据权利要求1或2所述的温敏细胞培养表面的制备方法，其特征在于，所述极性溶剂选自水、乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、丙二醇、丁醇、异丁醇、乙二醇单甲醚以及丙二醇单甲醚中的至少一种。

9.一种由权利要求1～8任意一项所述的温敏细胞培养表面的制备方法制备得到的温敏细胞培养表面。

10.具有权利要求9所述的温敏细胞培养表面的温敏细胞培养装置。