[发明专利]关键尺寸测量系统和使用其测量关键尺寸的方法有效
申请号: | 201811117478.7 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN109540050B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 朴爰柱;李亨周;崔硕桓;南东锡;韩允泽 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01B15/00 | 分类号: | G01B15/00;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 关键 尺寸 测量 系统 使用 方法 | ||
1.一种测量关键尺寸的方法,包括:
形成包括布局图案的布局;
形成包括与所述布局图案相对应的掩模图案的光掩模;
存储关于所述布局图案的信息;
使用关于所述布局图案的信息,将所述光掩模的测量位置分类为默认测量位置和简单测量位置;
以默认测量模式测量所述默认测量位置内的第一掩模图案的关键尺寸;以及
以简单测量模式测量所述简单测量位置内的第二掩模图案的关键尺寸,其中,所述简单测量模式比所述默认测量模式运行更短时间。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述默认测量模式包括对所述第一掩模图案执行自动聚焦和图案匹配并且测量所述第一掩模图案的关键尺寸,以及
所述简单测量模式包括对所述第二掩模图案执行自动聚焦和图案匹配两者之一或两者都不执行,并且测量所述第二掩模图案的关键尺寸。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述默认测量模式包括使用默认像素数量和默认扫描次数来测量所述第一掩模图案的关键尺寸,以及
所述简单测量模式包括使用少于所述默认像素数量的像素数量或少于所述默认扫描次数的扫描次数来测量所述第二掩模图案的关键尺寸。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述默认测量模式包括使用默认像素数量和默认扫描次数来测量所述第一掩模图案的关键尺寸,以及
所述简单测量模式包括使用少于所述默认像素数量的像素数量或少于所述默认扫描次数的扫描次数来测量所述第二掩模图案的关键尺寸。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述光掩模的测量位置分类为所述默认测量位置和所述简单测量位置进一步包括:使用关于布置在所述光掩模的测量位置中的每一个上的、与所述掩模图案相对应的布局图案的信息。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,关于所述布局图案的信息包括关于所述布局图案中的每一个的布置密度和宽度的信息以及关于所述布局图案的感兴趣的测量区域中的每一个的长度的信息。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,关于所述布局图案的信息包括关于与所述第一掩模图案相对应的第一布局图案的信息以及关于与所述第二掩模图案相对应的第二布局图案的信息。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第二布局图案的布置密度低于所述第一布局图案的布置密度,并且
使用关于所述第一布局图案和所述第二布局图案的布置密度的信息,将包括所述第一掩模图案和所述第二掩模图案的测量位置分类为所述默认测量位置和所述简单测量位置。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第二布局图案的宽度大于所述第一布局图案的宽度,并且
使用关于所述第一布局图案和所述第二布局图案的宽度的信息,将包括所述第一掩模图案和所述第二掩模图案的测量位置分类为所述默认测量位置和所述简单测量位置。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第二布局图案的感兴趣的测量区域的长度大于所述第一布局图案的感兴趣的测量区域的长度,并且
使用关于所述第一布局图案和所述第二布局图案的感兴趣的测量区域的信息,将包括所述第一掩模图案和所述第二掩模图案的测量位置分类为所述默认测量位置和所述简单测量位置。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述光掩模的测量位置分类为所述默认测量位置和所述简单测量位置还包括使用关于所述掩模图案的表面电势信息以及关于所述布局图案的信息。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第二掩模图案具有与所述第一掩模图案实质相同的电势。
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