[发明专利]关键尺寸测量系统和使用其测量关键尺寸的方法

说明书

一种关键尺寸测量系统，包括电压测量单元、控制单元和关键尺寸测量单元。电压测量单元可以测量光掩模的掩模图案的电势。控制单元可以包括信息存储单元，该信息存储单元用于存储关于由电压测量单元测量的掩模图案的电势的分布信息，以及关于与光掩模的掩模图案相对应的布局图案的信息。关键尺寸测量单元可由控制单元以第一测量模式和比第一测量模式运行更短时间的第二测量模式操作，并测量掩模图案的关键尺寸。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0122302号的优先权，其公开的内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及关键尺寸测量系统和关键尺寸测量方法，并且更具体地，涉及可以测量掩模图案的关键尺寸的关键尺寸测量系统和使用其测量关键尺寸的方法。

背景技术

随着半导体器件的集成度和性能的增加，与其有关的设计规则的数量在减少，形成半导体器件的图案的宽度在变窄。如上所述，用于光刻工艺的光掩模的掩模图案的尺寸，以及用于形成图案以形成半导体器件的光刻胶图案的尺寸都在减小。由于掩模图案的尺寸减小，所以测量掩模图案的关键尺寸所需的时间量增加。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，关键尺寸测量系统包括电压测量单元、控制单元和关键尺寸测量单元。电压测量单元可以测量光掩模的掩模图案的电势。控制单元可以包括信息存储单元，该信息存储单元用于存储关于由电压测量单元测量的掩模图案的电势的分布信息，以及关于与光掩模的掩模图案相对应的布局图案的信息。关键尺寸测量单元可由控制单元以第一测量模式和比第一测量模式运行更短时间的第二测量模式操作，并测量掩模图案的关键尺寸。

根据本发明构思的示例性实施例，关键尺寸测量系统包括表面电势测量单元、控制单元和关键尺寸测量单元。表面电势测量单元可以测量光掩模的掩模图案的电势。控制单元可以包括信息存储单元，该信息存储单元被配置为存储关于由表面电势测量单元测量的掩模图案的电势的分布信息。关键尺寸测量单元可以与控制单元交换电信号，并且使用关于掩模图案的电势的分布信息，以默认测量模式和比默认测量模式运行更短时间的简单测量模式，测量从表面电势测量单元传送的光掩模的掩模图案的关键尺寸。

根据本发明构思的示例性实施例，关键尺寸测量系统包括表面电势测量单元和关键尺寸测量单元。表面电势测量单元可以测量掩模图案的电势。关键尺寸测量单元可以使用关于掩模图案的所测量的电势的分布信息，以默认测量模式和比默认测量模式运行更短时间的简单测量模式，测量从表面电势测量单元传送的掩模图案的关键尺寸。

根据本发明构思的示例性实施例，测量关键尺寸的方法包括：形成包括布局图案的布局；形成包括与布局图案相对应的掩模图案的光掩模；存储关于布局图案的信息；使用关于布局图案的信息将光掩模的测量位置分类为默认测量位置和简单测量位置；以默认测量模式测量默认测量位置内的第一掩模图案的关键尺寸；以及以简单测量模式测量简单测量位置内的第二掩模图案的关键尺寸。简单测量模式可以比默认测量模式运行更短时间。

根据本发明构思的示例性实施例，测量关键尺寸的方法包括：形成包括布局图案的布局；形成与布局图案相对应的掩模图案；使用关于布局图案的信息，利用关键尺寸测量装置的控制电路，设置默认测量模式和比默认测量模式运行更短时间的简单测量模式；以及利用关键尺寸测量装置来测量掩模图案的关键尺寸。可以以默认测量模式测量掩模图案中的第一掩模图案的关键尺寸，并且可以以简单测量模式测量掩模图案中的第二掩模图案的关键尺寸。

根据本发明构思的示例性实施例，测量关键尺寸的方法包括：使用计算机系统，形成包括布局图案的布局；使用掩模制造装置，形成包括与布局图案相对应的掩模图案的光掩模；利用关键尺寸测量装置，存储关于光掩模的默认测量位置和简单测量位置的信息；利用关键尺寸测量装置，以默认测量模式测量默认测量位置内的第一掩模图案的关键尺寸；以及利用关键尺寸测量装置，以比默认测量模式运行更短时间的简单测量模式，测量简单测量位置内的第二掩模图案的关键尺寸。