[发明专利]半导体结构，半导体结构制备方法及其用途

权利要求书

1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底中嵌有至少一个第一金属结构；所述第一金属结构顶面与所述衬底顶面处于同一平面；

于所述衬底上形成一层间介质层；

于所述层间介质层中形成至少一个沟槽，所述沟槽显露出所述第一金属结构顶面；

于所述沟槽侧壁形成一扩散阻挡层；以及

于侧壁形成有所述扩散阻挡层的所述沟槽中形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构直接接合以实现电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述沟槽侧壁形成所述扩散阻挡层的步骤包括：

于所述沟槽的内壁形成扩散阻挡层材料；

去除位于所述沟槽底部的所述扩散阻挡层材料，显露出所述第一金属结构顶面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述衬底与所述层间介质层之间还形成一第一停止层，所述层间介质层上还形成有一第二停止层；形成所述沟槽的步骤包括：

于所述第二停止层、所述层间介质层及所述第一停止层中形成至少一个沟槽，所述沟槽显露出所述第一金属结构顶面。

4.根据权利要求3所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述沟槽侧壁形成所述扩散阻挡层的步骤包括：

于所述沟槽的内壁形成扩散阻挡层材料；

以所述第二停止层为掩模蚀刻去除位于所述沟槽底部的所述扩散阻挡层材料，显露出所述第一金属结构顶面。

5.根据权利要求3所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述沟槽的侧壁形成所述扩散阻挡层的步骤包括：

于所述沟槽的内壁形成扩散阻挡层材料；

于形成有所述扩散阻挡层材料的沟槽中填入牺牲层，所述牺牲层的顶面高于所述扩散阻挡层材料的顶面高度；

于所述牺牲层上形成有图案化第一光阻层，图案化的所述第一光阻层具有至少一个第二开口，所述第二开口作为后续蚀刻位于所述沟槽底部的所述扩散阻挡层材料的窗口；

以图案化的所述第一光阻层为掩模向下依次蚀刻所述牺牲层及所述扩散阻挡层材料，显露出所述第一金属结构顶面；

去除剩余的图案化的所述第一光阻层和剩余的所述牺牲层，以于所述沟槽的侧壁形成所述扩散阻挡层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述衬底与所述层间介质层之间还形成一第一停止层，所述层间介质层上还形成有一第二停止层；所述制备方法还包括：

于所述第二停止层和所述层间介质层中形成至少一个沟槽，所述沟槽显露出所述第一停止层；

于所述沟槽的内壁形成扩散阻挡层材料；

去除位于所述沟槽底部的所述扩散阻挡层材料，以于所述沟槽的侧壁上形成所述扩散阻挡层，且显露出所述第一停止层；

去除显露出的部分所述第一停止层，以于所述第一停止层中形成第一开口，所述第一开口显露出所述第一金属结构顶面；以及

于侧壁形成有所述扩散阻挡层的所述沟槽及所述第一开口中形成所述第二金属结构，所述第二金属结构通过所述第一开口与所述第一金属结构直接接合以实现电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

于所述沟槽的内壁形成扩散阻挡层材料后，以所述第二停止层及位于其表面的所述扩散阻挡层材料为掩模向下依次蚀刻位于所述沟槽底部的所述扩散阻挡层材料和所述第一停止层，以于所述第一停止层中形成所述第一开口，所述第一开口显露出所述第一金属结构顶面；

于侧壁形成有所述扩散阻挡层的所述沟槽及所述第一开口中形成所述第二金属结构，所述第二金属结构通过所述第一开口与所述第一金属结构接合以实现电连接。