[发明专利]封装装置，半导体装置和封装装置的制造方法

权利要求书

1.一种封装装置，包括：

电路层；

至少一个导电区段，其设于所述电路层上且具有第一表面和第二表面；

封装体，其密封所述导电区段的至少一部分且具有第一上表面，其中所述导电区段的所述第一表面的第一部分和所述第二表面的至少一部分设于所述封装体的所述第一上表面上方；以及

重布层，其设于所述封装体、所述导电区段的所述第一表面的所述第一部分和所述导电区段的所述第二表面上。

2.根据权利要求1所述的封装装置，其中所述导电区段的所述第一表面和所述第二表面彼此相交。

3.根据权利要求1所述的封装装置，其中所述导电区段的所述第一表面的平均粗糙度不同于所述导电区段的所述第二表面的平均粗糙度。

4.根据权利要求3所述的封装装置，其中所述导电区段的所述第一表面的所述平均粗糙度小于所述导电区段的所述第二表面的所述平均粗糙度。

5.根据权利要求1所述的封装装置，其中所述至少一个导电区段包含第一导电区段和第二导电区段，所述第二导电区段与所述第一导电区段分离，所述第一导电区段和所述第二导电区段两者均连接所述电路层和所述重布层。

6.根据权利要求1所述的封装装置，其中所述封装体进一步具有第二上表面，其与所述第一上表面非共面，且所述重布层设于所述封装体的所述第一上表面和所述第二上表面上。

7.根据权利要求6所述的封装装置，其中所述封装体的所述第二上表面设在所述导电区段的所述第二表面下方。

8.根据权利要求6所述的封装装置，进一步包括钝化层，其设于所述封装体的所述第一上表面、所述重布层和所述封装体的所述第二上表面上。

9.根据权利要求1所述的封装装置，进一步包括电子组件，其设于所述电路层上，其中所述至少一个导电区段包含第一导电区段和第二导电区段，所述第二导电区段与所述第一导电区段分离，所述第一导电区段连接所述电路层和所述重布层，所述第二导电区段连接所述电子组件和所述重布层。

10.根据权利要求9所述的封装装置，其中所述电子组件包括导电层，且所述第二导电区段连接到所述电子组件的所述导电层。

11.一种半导体装置，包括：

电路层；

逻辑组件，其设于所述电路层上；

封装体，其密封所述逻辑组件；

重布层，其设于所述封装体上；

第一导电区段，其连接所述电路层和所述重布层；以及

第二导电区段，其连接所述逻辑组件和所述重布层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述逻辑组件具有无源表面且包括设于所述无源表面上的导电层，且所述第二导电区段连接到所述逻辑组件的所述导电层。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第一导电区段的一部分和所述第二导电区段的一部分从所述封装体暴露。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述重布层覆盖第一导电区段的所述暴露部分和所述第二导电区段的所述暴露部分。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述封装体具有空腔，其位于所述第一导电区段与第二导电区段之间，且所述重布层延伸到所述封装体的所述空腔中。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，进一步包括钝化层，其设于所述封装体和所述重布层上，其中所述钝化层延伸到所述空腔中。