[发明专利]高频三极管及其制作方法

权利要求书

1.一种高频三极管，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

位于所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层，所述外延层内形成有第二导电类型的外基区和连接所述外基区的第二导电类型的基区，所述外基区中第二导电类型的杂质的掺杂浓度高于所述基区中第二导电类型的杂质的掺杂浓度；所述基区内还形成有第一导电类型的发射区；

位于所述外延层的上表面的多晶硅岛，所述多晶硅岛包括与所述外基区连接且掺杂第二导电类型的杂质的第一基极多晶硅；

位于所述外延层的上表面且厚度大于或等于所述多晶硅岛的高度的介质层，所述介质层内形成有贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔包括对应所述发射区的发射极接触孔，所述发射极接触孔内填充有掺杂第一导电类型的杂质的发射极多晶硅，所述发射极多晶硅的上表面覆盖有第二金属硅化物层；

位于所述介质层的上表面的基极和发射极，所述基极与所述多晶硅岛连接，所述发射极与所述发射极多晶硅连接；

位于所述衬底的下表面的集电极。

2.根据权利要求1所述的高频三极管，其特征在于，所述多晶硅岛还包括位于所述第一基极多晶硅上表面的第一金属硅化物层。

3.根据权利要求1所述的高频三极管，其特征在于，所述介质层覆盖在所述外延层和所述多晶硅岛的上表面，所述接触孔还包括对应所述多晶硅岛的基极接触孔，所述基极接触孔内填充有掺杂第一导电类型的杂质的第二基极多晶硅，所述第二基极多晶硅的上表面覆盖有第三金属硅化物层。

4.一种高频三极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：提供第一导电类型的衬底，并在所述衬底的上表面生长第一导电类型的外延层；

S02：在所述外延层的上表面生长第一多晶硅层；

S03：向所述第一多晶硅层注入第二导电类型的杂质并在所述第一多晶硅层的表面形成多晶硅掺杂区；

S04：对所述第一多晶硅层进行局部贯穿刻蚀并形成位于所述外延层的上表面的多晶硅岛；

S05：高温热处理，使所述多晶硅掺杂区中的第二导电类型的杂质在所述第一多晶硅层中扩散并将所述第一多晶硅层转化为掺杂第二导电类型的杂质的第一基极多晶硅，同时所述第二导电类型的杂质扩散至所述外延层中并形成位于所述外延层内的第二导电类型的外基区；

S06：对所述外延层局部掺杂第二导电类型的杂质，形成位于所述外延层内且连接所述外基区的第二导电类型的基区，所述基区中第二导电类型的杂质的掺杂浓度低于所述外基区中第二导电类型的杂质的掺杂浓度；

S07：在所述外延层的上表面生长厚度大于或等于所述多晶硅岛的高度的介质层；

S08：刻蚀所述介质层并形成贯穿所述介质层的发射极接触孔，所述发射极接触孔对应所述基区；

S09：在所述发射极接触孔内填充掺杂高浓度的第一导电类型杂质的多晶硅，并形成位于所述发射极接触孔内的发射极多晶硅；

S10：在所述介质层及所述发射极多晶硅的上表面生长第一金属层；

S11：采用快速热处理在所述发射极多晶硅的上表面形成第二金属硅化物层，并同时形成位于所述基区内的第一导电类型的发射区；

S12：在所述介质层的上表面形成与所述多晶硅岛连接的基极和与所述发射极多晶硅连接的发射极；

S13：在所述衬底的下表面生长集电极。

5.根据权利要求4所述的高频三极管的制作方法，其特征在于，在S02中还包括在所述第一多晶硅层的上表面生长第一金属硅化物层，在S04中同时对所述第一金属硅化物层进行局部贯穿刻蚀。

6.根据权利要求4所述的高频三极管的制作方法，其特征在于，在S07中，所述介质层的厚度大于所述多晶硅岛的高度且同时覆盖在所述多晶硅岛的上表面，在S08中还包括刻蚀所述介质层并形成贯穿所述介质层的基极接触孔，所述基极接触孔对应所述多晶硅岛；在S09中还包括在所述基极接触孔内填充掺杂高浓度的第一导电类型杂质的多晶硅，并形成位于所述基极接触孔内的第二基极多晶硅；在S11中还包括在所述第二基极多晶硅的上表面形成第三金属硅化物层。