[发明专利]高频三极管及其制作方法

说明书

本发明公开了一种高频三极管及其制作方法。所述制作方法获得的高频三极管包括衬底，位于所述衬底的上表面的外延层，所述外延层内形成有外基区和基区，所述基区内还形成有发射区；位于所述外延层的上表面的多晶硅岛，所述多晶硅岛包括第一基极多晶硅；位于所述外延层的上表面的介质层，所述介质层内形成有贯穿所述介质层的发射极接触孔，所述发射极接触孔内填充有发射极多晶硅，所述发射极多晶硅的上表面覆盖有第二金属硅化物层；位于所述介质层的上表面的基极和发射极；位于所述衬底的下表面的集电极。本发明所述高频三极管结构不仅具有超高的工作频率，而且具有更低的器件制作成本，更高的集成度，更强的电流能力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种高频三极管及其制作方法。

背景技术

高频三极管区别于普通三极管的特征主要是其晶体管特征尺寸小、击穿电压低、特征频率极高，制作工艺难度大。一般，所述高频三极管应用在甚高频(Very HighFrequency,VHF)、特高频(Ultra High Frequency,UHF)、有线电视网(Community AntennaTelevision,CATV)、无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上，这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下。

请参阅图1，传统高频三极管包括P型衬底1’、在所述衬底1’上表面成的N-型外延层2’、在所述衬底1’中形成的N+型掩埋层3’、在所述外延层2’内形成并延伸至所述掩埋层3’中的集电极磷桥4’、贯穿所述外延层2’及掩埋层3’并延伸至所述衬底1’中的两个隔离沟槽5’、在所述外延层2’的表面形成的基区6’、在所述基区6’两侧的外基区7’、在所述基区6’的表面的发射区8’、在所述外延层2’表面的场氧化层9’、在所述外延层2’表面且连接所述基区6’的第一侧墙10’和第二侧墙11’、在所述外延层2’表面且连接所述发射区8’的发射极多晶硅12’、在所述外延层2’表面且连接所述外基区7’的基极多晶硅13’、连接所述发射极多晶硅12’的发射极14’、连接所述基极多晶硅13’的基极15’、连接所述集电极磷桥4’的集电极16’。

传统高频三极管结构较为复杂，在制作所述传统高频三极管的过程中，不仅需要制作所述场氧化层9’以便于形成所述外基区7’，同时还需要采用双层隔离侧墙刻蚀工艺形成所述第一侧墙10’和所述第二侧墙11’，而为了降低集电极电阻，还需要采用埋层工艺制作连接所述集电极磷桥4’的所述掩埋层3’，从而导致制作工艺难度大，并且成本高。此外，传统高频三极管的集电极、发射极、基极之间的间距较大，结构不够紧凑，集成度不高，电流能力偏弱。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种结构紧凑、制作难度较低的高频三极管。

为解决上述技术问题，本发明采用下述技术方案：该高频三极管，包括：

第一导电类型的衬底；

位于所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层，所述外延层内形成有第二导电类型的外基区和连接所述外基区的第二导电类型的基区，所述外基区中第二导电类型的杂质的掺杂浓度高于所述基区中第二导电类型的杂质的掺杂浓度；所述基区内还形成有第一导电类型的发射区；

位于所述外延层的上表面的多晶硅岛，所述多晶硅岛包括与所述外基区连接且掺杂第二导电类型的杂质的第一基极多晶硅；

位于所述外延层的上表面且厚度大于或等于所述多晶硅岛的高度的介质层，所述介质层内形成有贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔包括对应所述发射区的发射极接触孔，所述发射极接触孔内填充有掺杂第一导电类型的杂质的发射极多晶硅，所述发射极多晶硅的上表面覆盖有第二金属硅化物层；

位于所述介质层的上表面的基极和发射极，所述基极与所述多晶硅岛连接，所述发射极与所述发射极多晶硅连接；

位于所述衬底的下表面的集电极。