[发明专利]化学机械平坦化工具和形成化学机械平坦化膜的方法

说明书

在一些实施例中，本发明在一些实施例中涉及形成CMP膜的方法。该方法通过在膜模具内的腔内提供可延展材料来实施。该腔具有中心区域和围绕中心区域的外围区域。固化腔内的可延展材料以形成膜。通过将膜模具的中心区域内的可延展材料加热至第一温度并且将膜模具的外围区域内的可延展材料加热至大于第一温度的第二温度来实施固化可延展材料。本发明的实施例涉及化学机械平坦化工具和形成化学机械平坦化膜的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及化学机械平坦化工具和形成化学机械平坦化膜的方法。

背景技术

集成芯片使用在彼此顶部上形成多个不同层的复杂制造工艺来构建。许多不同层使用光刻来图案化，光刻是将感光材料选择性地暴露于电磁辐射的工艺。例如，可以使用光刻来限定形成在彼此顶部上的后段制程(BEOL)金属互连层。为了确保金属互连层形成有良好结构清晰度，电磁辐射必须适当聚焦。为了正确地聚焦电磁辐射，工件必须基本上是平面的以避免聚焦深度问题。化学机械平坦化(CMP)是一种广泛使用的工艺，通过该工艺，使用化学力和机械力来全面平坦化半导体工件。平坦化将准备好用于随后层的形成的工件。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成化学机械平坦化(CMP)膜的方法，包括：在膜模具中的腔内提供可延展材料，其中，所述腔包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域；固化所述可延展材料以形成膜，其中，固化所述可延展材料包括：将所述膜模具的中心区域内的所述可延展材料加热至第一温度；以及将所述膜模具的外围区域内的所述可延展材料加热至大于所述第一温度的第二温度。

本发明的另一实施例提供了一种形成化学机械平坦化膜的方法，包括：在由膜模具的内表面限定的腔内提供硅树脂，其中，所述腔包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域；将所述膜模具的中心区域内的所述硅树脂加热至第一温度，所述第一温度使得所述膜模具的中心区域内的所述硅树脂具有第一刚度；以及将所述膜模具的外围区域内的所述硅树脂加热至第二温度，所述第二温度使得所述膜模具的外围区域内的所述硅树脂具有小于所述第一刚度的第二刚度。

本发明的又一实施例提供了一种化学机械平坦化(CMP)工具，包括：壳体；保持环，附接至所述壳体并且被配置为横向围绕衬底；以及可延展膜，具有被配置为接触所述衬底的背面的下表面，其中，所述可延展膜包括具有第一刚度的中心区域和围绕所述中心区域并且具有小于所述第一刚度的第二刚度的第一外围区域。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了包括载体的化学机械平坦化(CMP)工具的实施例的截面图，该载体包括具有不同可延展性和/或刚度值的区域的膜。

图2示出了包括具有不同可延展性和/或刚度值的区域的膜的载体的底部的实施例的俯视图。

图3A至图3C示出了具有膜的载体的一些实施例的截面图，该膜具有不同可延展性和/或刚度值的区域。

图4A至图4C示出了具有不同可延展性和/或刚度值的区域的公开的膜的一些可选实施例的俯视图。

图5示出了包括载体的CMP工具的另一实施例的截面图，该载体包括具有不同可延展性和/或刚度值的区域的膜。

图6A至图9示出了形成具有不同可延展性和/或刚度值的区域的CMP膜的方法的一些实施例。

图10示出了形成具有不同可延展性和/或刚度值的区域的CMP膜的方法的一些实施例的流程图。

图11至图14示出了实施化学机械平坦化(CMP)工艺的方法的一些实施例的截面图。

图15示出了实施化学机械平坦化(CMP)工艺的方法的一些实施例的流程图。

具体实施方式