[发明专利]多层电子组件及制造多层电子组件的方法有效

专利信息
申请号: 201811122613.7 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN109585166B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 韩昇勳;赵成珉;吴东俊 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/224 分类号: H01G4/224;H01G4/232;H01G4/30
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 祝玉媛;孙丽妍
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多层 电子 组件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种多层电子组件,包括:

电容器主体,包括彼此面对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此面对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面和所述第二表面、连接到所述第三表面和所述第四表面并且彼此面对的第五表面和第六表面,并且所述电容器主体包括多个介电层以及多个第一内电极和多个第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极在所述介电层之间交替地设置,且所述第一内电极的一端和所述第二内电极的一端分别通过所述第三表面和所述第四表面暴露;

第一导电层和第二导电层,分别设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上,并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极;

第一镀层和第二镀层,分别覆盖所述第一导电层和所述第二导电层的表面;以及

多个涂层,被构造为位于所述电容器主体的表面上的多层结构,并暴露所述第一镀层和所述第二镀层,并且具有10nm至200nm的整体厚度,

其中,所述多个涂层布置并构造为使得所述电容器主体的所述表面的至少一部分通过所述多个涂层的相邻部分之间的至少一个间隙暴露于所述电容器主体的外部。

2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述多个涂层中的至少一些涂层利用不同的材料形成。

3.根据权利要求2所述的多层电子组件,其中,所述多个涂层被构造为具有双层结构,并且所述多个涂层中的内涂层包括氧化铝,并且所述多个涂层中的外涂层包括二氧化硅和二氧化钛中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述多个涂层还设置在位于所述第一导电层和所述第一镀层之间的一部分以及位于所述第二导电层和所述第二镀层之间的一部分上。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一镀层和所述第二镀层分别包括设置在所述第一导电层和所述第二导电层上的镍镀层以及设置在所述镍镀层上的锡镀层。

6.一种制造多层电子组件的方法,所述方法包括:

在电容器主体的相对端上形成并烧结第一导电层和第二导电层,以制备烧结主体;

通过使用原子层沉积工艺在所述烧结主体的外周涂覆薄膜并且干燥所述薄膜,来形成多层涂层,其中,所述多层涂层布置并构造为使得所述电容器主体的表面的至少一部分通过所述多层涂层的相邻部分之间的至少一个间隙暴露于所述电容器主体的外部;以及

使用镀覆工艺分别在所述第一导电层和所述第二导电层的表面上形成第一镀层和第二镀层,

其中,所述多层涂层具有10nm至200nm的整体厚度。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,在形成所述多层涂层的步骤中,包括在所述多层涂层中的至少一些涂层利用不同的材料形成。

8.根据权利要求6所述的方法,其中,形成所述多层涂层的步骤包括以双层结构形成所述多层涂层;并且

其中,所述多层涂层中的内涂层包括氧化铝,并且所述多层涂层中的外涂层包括二氧化硅和二氧化钛中的任意一种。

9.根据权利要求6所述的方法,其中,所述多层涂层的一部分保留在所述第一导电层和所述第二导电层的表面上。

10.根据权利要求6所述的方法,其中,形成所述第一镀层和所述第二镀层的步骤包括分别在所述第一导电层和所述第二导电层上形成镍镀层以及在所述镍镀层上形成锡镀层。

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