[发明专利]一种半导体基板的斜面图形化方法

权利要求书

1.一种半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，所述半导体基板的斜面图形化方法包括如下步骤：

提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一用于形成斜面的斜面形成区，所述半导体基板至少包括一第一衬底；

在所述半导体基板上的斜面形成区以外的区域形成第一阻挡层，所述第一阻挡层形成于所述第一衬底上；

在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第一阻挡层靠近所述斜面形成区的端面凸出于所述第二阻挡层靠近所述斜面形成区的端面；

对所述半导体基板的斜面形成区图形化、形成至少一斜面，其中，沿靠近所述第一阻挡层端面的方向上，所述斜面的厚度逐渐增大，在对所述半导体基板的斜面形成区图形化的步骤中包括如下步骤：

对所述斜面形成区的第一衬底进行氧化；

去除所述第一衬底氧化后形成的氧化材料；

去除所述第一阻挡层以及所述第二阻挡层。

2.如权利要求1所述的半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，所述第一衬底由硅材料形成，所述第一衬底氧化后形成氧化硅材料，所述第一阻挡层由氧化硅材料形成，所述第二阻挡层由氮氧化硅材料形成。

3.如权利要求2所述的半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，在形成所述第二阻挡层的步骤之后还包括如下步骤：

在所述第二阻挡层上形成第三阻挡层，所述第二阻挡层靠近所述斜面形成区的端面凸出于所述第三阻挡层靠近所述斜面形成区的端面；

在形成所述斜面的步骤之后还包括如下步骤：

去除所述第三阻挡层。

4.如权利要求3所述的半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，所述第三阻挡层由氮化硅材料形成。

5.如权利要求3所述的半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，所述半导体基板还包括第二衬底，所述第二衬底位于所述第一衬底远离所述第一阻挡层的一侧。

6.如权利要求5所述的半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，所述第二衬底由氮化硅材料或者氧化硅材料形成。

7.如权利要求6所述的半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，当所述第二衬底由氧化硅材料形成时，在对所述斜面形成区的第一衬底进行氧化的步骤完成后，在所述第一衬底氧化后形成的氧化硅材料与所述第二衬底之间至少具有未被氧化的第一衬底，形成未氧化薄层；

在去除所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层后还包括如下步骤：

图形化去除所述未氧化薄层。

8.如权利要求2所述的半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，在对所述斜面形成区的第一衬底进行氧化的步骤之前还包括如下步骤：

对位于所述斜面形成区的所述第一衬底的图形化，其中，图形化后的所述斜面形成区的所述第一衬底的厚度小于所述斜面形成区外的所述第一衬底的厚度。

9.如权利要求2所述的半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，在对所述斜面形成区的第一衬底进行氧化之前还包括如下步骤：

增加所述第二阻挡层的应力；

对所述斜面形成区的第一衬底进行预氧化；

湿法去除第一衬底预氧化后形成的氧化硅材料，使所述第二阻挡层靠近所述斜面形成区的一端上翘。

10.如权利要求9所述的半导体基板的斜面图形化方法，其特征在于，在形成所述第二阻挡层的步骤之后还包括如下步骤：在所述第二阻挡层上形成第三阻挡层，所述第二阻挡层靠近所述斜面形成区的端面凸出于所述第三阻挡层靠近所述斜面形成区的端面；

在增加所述第二阻挡层的应力时，还增加所述第三阻挡层的应力，其中，对所述第二阻挡层施加压应力，对所述第三阻挡层施加张应力；

在形成所述斜面的步骤之后还包括如下步骤：

去除所述第三阻挡层。