[发明专利]一种半导体基板的斜面图形化方法

说明书

本发明揭示一种半导体基板的斜面图形化方法。所述半导体基板的斜面图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一用于形成斜面的斜面形成区；在所述半导体基板上的斜面形成区以外的区域形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第一阻挡层靠近所述斜面形成区的端面凸出于所述第二阻挡层靠近所述斜面形成区的端面；对所述半导体基板的斜面形成区图形化、形成至少一斜面，其中，沿靠近第一阻挡层端面的方向上，所述斜面的厚度逐渐增大；去除所述第一阻挡层以及所述第二阻挡层。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体基板的斜面图形化方法以及使用该半导体基板的斜面图形化方法制造的半导体基板。

背景技术

微电子机械系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)技术具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点，故其已广泛应用在包括红外探测技术领域的诸多领域。

在微电子机械系统(MEMS)等半导体器件的制程工艺中，通常将金属材料或半导体材料通过沉积等方式形成于半导体基板的表面，而半导体基板是由半导体层(例如非晶硅)沉积于一衬底上、并经图形化形成的，所以，硅基板的表面往往是不平坦的，半导体层经过图形化后会形成较高的台阶。而后续金属材料或半导体材料会沉积在上述台阶的侧壁上，容易使制程后形成的半导体器件引起短路等问题。因此，如何在该台阶位置形成一斜面以便于斜面位置的薄膜的生长和去除成为了一个重要的问题。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种半导体基板的斜面图形化方法以及使用该半导体基板的斜面图形化方法制造的半导体基板，该半导体基板的斜面图形化方法可以在半导体基板上形成一斜面，该斜面可以有利于后续该斜面位置的薄膜的生长和去除，使半导体器件的制程更为便捷。

根据本发明的一个方面提供一种半导体基板的斜面图形化方法，所述半导体基板的斜面图形化方法包括如下步骤：提供一半导体基板，所述半导体基板包括至少一用于形成斜面的斜面形成区；在所述半导体基板上的斜面形成区以外的区域形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第一阻挡层靠近所述斜面形成区的端面凸出于所述第二阻挡层靠近所述斜面形成区的端面；对所述半导体基板的斜面形成区图形化、形成至少一斜面，其中，沿着靠近第一阻挡层端面的方向上，所述斜面的厚度逐渐增大；去除所述第一阻挡层以及所述第二阻挡层。

可选地，所述半导体基板至少包括一第一衬底，所述第一阻挡层形成于所述第一衬底上，所述第一衬底由硅材料形成，所述第一阻挡层由氧化硅材料形成，所述第二阻挡层由氮氧化硅材料形成；在对所述半导体基板的斜面形成区图形化的步骤中还包括如下步骤：对所述斜面形成区的第一衬底进行氧化；去除所述第一衬底氧化后形成的氧化硅材料。

可选地，在形成所述第二阻挡层的步骤之后还包括如下步骤：在所述第二阻挡层上形成所述第三阻挡层，所述第二阻挡层靠近所述斜面形成区的端面凸出于所述第三阻挡层靠近所述斜面形成区的端面；在形成所述斜面的步骤之后还包括如下步骤：去除所述第三阻挡层。

可选地，所述第三阻挡层由氮化硅材料形成。

可选地，所述半导体基板还包括第二衬底，所述第二衬底位于所述第一衬底远离所述第一阻挡层的一侧。

可选地，所述第二衬底由氮化硅材料或者氧化硅材料形成。

可选地，当所述第二衬底由氧化硅材料形成时，在对所述斜面形成区的第一衬底进行氧化的步骤完成后，在所述第一衬底氧化后形成的氧化硅材料与所述第二衬底之间至少具有未被氧化的第一衬底，形成未氧化薄层；在去除所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层后还包括如下步骤：图形化去除所述未氧化薄层。

可选地，在对所述斜面形成区的第一衬底进行氧化的步骤之前还包括如下步骤：对位于所述斜面形成区的所述第一衬底的图形化，其中，图形化后的所述斜面形成区的所述第一衬底的厚度小于所述斜面形成区外的所述第一衬底的厚度。