[发明专利]SRAM读取延时控制电路及SRAM

权利要求书

1.一种SRAM读取延时控制电路，所述SRAM包括第一电压域和第二电压域，感应放大器和输入输出电路处于第一电压域，字线驱动电路和存储阵列处于第二电压域，第一电压域的电源电压高于第二电压域的电源电压，其特征在于，所述SRAM读取延时控制电路包括：延时模块、电源开关模块以及开关控制模块，其中，

所述延时模块，其供电端通过所述电源开关模块连接至第一电压域电源，用于产生读取延时时间；

所述电源开关模块，包括第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的漏端连接至第一电压域电源，源端连接至所述延时模块的供电端，栅端连接至所述开关控制模块的输出端，所述第一PMOS管用于根据不同的驱动能力调节所述延时模块的供电端电压，以调节所述延时模块产生的读取延时时间；

所述开关控制模块，用于调节所述第一PMOS晶体管的驱动能力。

2.根据权利要求1所述的SRAM读取延时控制电路，其特征在于，所述开关控制模块包括：第二PMOS晶体管及第一NNOS晶体管，其中，

所述第二PMOS晶体管的漏端连接至第一电压域电源，栅端连接至第二电压域电源；

所述第一NMOS晶体管的漏端接地，栅端连接至第一电压域电源；

所述第二PMOS晶体管的源端与所述第一NMOS晶体管的源端连接，作为输出端共同连接至所述第一PMOS晶体管的栅端。

3.根据权利要求1所述的SRAM读取延时控制电路，其特征在于，所述延时模块，由依次串联的多个反相器组成，所述多个反相器的供电端构成所述延时模块的供电端。

4.一种SRAM，所述SRAM包括第一电压域和第二电压域，感应放大器和输入输出电路处于第一电压域，字线驱动电路和存储阵列处于第二电压域，第一电压域的电源电压高于第二电压域的电源电压，其特征在于，所述SRAM还包括如权利要求1-3中任一项所述的SRAM读取延时控制电路。