[发明专利]一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的方法

权利要求书

1.一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)于高透光率晶圆背面形成低透光率膜，所述低透光率膜是碳膜或TiW膜；

2)进行光刻过程；

3)去除所述低透光率膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述低透光率膜通过物理气相淀积或化学气相淀积工艺形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述低透光率膜通过溅射、蒸镀工艺形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述碳膜厚度为0.05μm～0.08μm。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤3)中，所述碳膜通过O₂离子洗工艺(Descum O₂)去除。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述TiW膜厚度为0.1μm～0.5μm。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤3)中，所述TiW膜通过SPM浸泡5～30min去除。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高透光率晶圆的背面是高透光率晶圆不印刷图形的一面。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述光刻过程包括涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀和去胶的步骤。