[发明专利]一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的方法

说明书

本发明公开了一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的方法，是在高透光率晶圆背面形成低透光率膜，进行常规光刻过程，然后去除所述低透光率膜。该方法可以显著降低透光率，使高透光率晶圆传送至曝光台，从而完成一道关键性的光刻工艺。本发明的方法低成本，高效率，工艺简单，不影响晶圆的质量，与显影液互不影响，不受前烘和坚膜温度影响，不污染机台且膜容易去除；是一种经济简单、普适性强的方法。

技术领域

本发明属于芯片制造领域，具体涉及一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的方法。

背景技术

光刻技术是半导体芯片制造工艺中的关键性技术之一。曝光是光刻工序中很重要的一个环节。在晶圆开始曝光之前，有4个对准步骤：1、精确光罩对准(Fine ReticalAlignment)；2、机械预对准(Mechanical Pre-alignment)；3、电视预对准(TV Pre-alignment)；4、高级全局对准(Advanced Globle Alignment)；其中，机械预对准是晶圆在送到曝光平台之前的粗略对准，寻找晶圆缺口和计算晶圆中心位置，以便能够准确的送到曝光台。

具体的，机械预对准单元通过判断电压差分析晶圆的边缘位置，系统在晶圆进入曝光机之前将该电压差值初始化为0.2V，之后系统自动控制LED的输出光以增减CCD的进光量，CCD将感应光量转换成电压值，对于高透光率晶圆，会出现电压值远超过0.2V而无法识别的问题，导致光刻无法实现，从而为芯片制造带来极大的困扰。

目前，透光率高的晶圆，以SiC晶圆为例，第一种技术路线是通过在衬底和外延工艺中调整平坦度、翘曲度、导角等参数，与光刻机匹配，该技术存在的问题是：极大的局限性，主要是因为需要反复验证适用于特定型号光刻机的平坦度、翘曲度、导角，需要投入大量的时间、人力和物力，开发周期较长，不能解决眼前的问题，严重影响芯片的制造日程，开发成本太高；第二种技术路线是通过在曝光机的CCD上加Filter型透镜，该技术存在的问题是依然存在光电杂讯，干扰系统判断的功能，导致SiC晶圆无法识别。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的低成本方法，在短时间内简单有效地将与光刻机不匹配的晶圆传送至曝光台，从而完成一道关键性的光刻工艺。

为了实现以上目的，本发明的技术方案为：

一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的方法包括以下步骤：

1)于高透光率晶圆背面形成低透光率膜；

2)进行光刻过程；

3)去除所述低透光率膜。

可选的，所述低透光率膜通过溅射、蒸镀、物理气相淀积或化学气相淀积工艺形成。

可选的，所述低透光率膜是碳膜。

可选的，所述碳膜厚度为0.05μm～0.08μm。

可选的，步骤3)中，所述碳膜通过Descum O₂去除。

可选的，所述低透光率膜是TiW膜。

可选的，所述TiW膜厚度为0.1μm～0.5μm。

可选的，步骤3)中，所述TiW膜通过SPM浸泡5～30min去除。

可选的，所述高透光率晶圆的背面是高透光率晶圆不印刷图形的一面。

可选的，所述光刻过程包括涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀和去胶的步骤。

本发明的有益效果为：