[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，

是形成薄膜晶体管和像素电极的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，具备：

第1金属膜形成工序，形成第1金属膜并将其图案化，由此形成薄膜晶体管的栅极电极；

第1绝缘膜形成工序，在上述第1金属膜的上层侧形成第1绝缘膜；

半导体膜形成工序，在上述第1绝缘膜的上层侧形成半导体膜，将上述半导体膜图案化，使得上述半导体膜至少包含沟道部和像素电极构成部，上述沟道部构成上述薄膜晶体管，与上述栅极电极的至少一部分重叠，上述像素电极构成部成为像素电极，上述像素电极是上述薄膜晶体管的连接对象；

第2金属膜形成工序，在上述半导体膜的上层侧形成第2金属膜；

光致抗蚀剂膜形成工序，在上述第2金属膜的上层侧形成光致抗蚀剂膜，使用包含透射区域和半透射区域的半色调掩模或灰色调掩模作为光掩模将上述光致抗蚀剂膜曝光后进行显影，由此将上述光致抗蚀剂膜图案化，使得上述光致抗蚀剂膜包含第1膜厚部和第2膜厚部并且与上述像素电极构成部不重叠，其中，上述第1膜厚部与上述第2金属膜中的构成上述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极重叠，上述第2膜厚部由于经由上述半透射区域被曝光而比上述第1膜厚部薄，与上述第2金属膜中的配置在上述源极电极与上述漏极电极之间的电极间部重叠；

第1蚀刻工序，将上述第2金属膜中的与上述光致抗蚀剂膜不重叠的部分选择性地蚀刻而除去；

低电阻化工序，将上述半导体膜中的与上述光致抗蚀剂膜和上述第2金属膜不重叠的上述像素电极构成部选择性地进行低电阻化处理而形成上述像素电极；

第2膜厚部除去工序，在上述低电阻化工序之后进行，或在上述第1蚀刻工序与上述低电阻化工序之间进行，将上述光致抗蚀剂膜中的上述第2膜厚部选择性地除去；以及

第2蚀刻工序，将上述第2金属膜中的与上述光致抗蚀剂膜的上述第1膜厚部不重叠的上述电极间部选择性地蚀刻而除去。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，

上述第2膜厚部除去工序在上述低电阻化工序之后进行。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制造方法，

在上述半导体膜形成工序中，形成氧化物半导体膜作为上述半导体膜，

在上述第2金属膜形成工序中，形成多个层叠金属膜作为上述第2金属膜，使其中的与上述氧化物半导体膜接触的上述层叠金属膜至少包含Ti或Al。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，

上述第2膜厚部除去工序在上述第1蚀刻工序与上述低电阻化工序之间进行。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板的制造方法，

在上述半导体膜形成工序中，形成氧化物半导体膜作为上述半导体膜，

在上述第2金属膜形成工序中，形成多个层叠金属膜作为上述第2金属膜，使其中的与上述氧化物半导体膜接触的上述层叠金属膜至少包含Mo或IZO。

6.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的薄膜晶体管基板的制造方法，具备：

光致抗蚀剂膜剥离工序，在上述第2蚀刻工序之后进行，将上述光致抗蚀剂膜剥离；

第2绝缘膜形成工序，在上述半导体膜和上述第2金属膜的上层侧形成第2绝缘膜；以及

透明电极膜形成工序，在上述第2绝缘膜的上层侧形成透明电极膜并将其图案化，由此形成至少一部分与上述像素电极重叠的共用电极，

在上述第1金属膜形成工序中，形成包括上述第1金属膜的第1接触部，在上述第2金属膜形成工序中，形成包括上述第2金属膜并且以与上述第1接触部不重叠的方式配置的第2接触部，在上述第2绝缘膜形成工序中，在与上述第1接触部重叠的位置形成将上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜贯通的第1接触孔，在与上述第2接触部重叠的位置形成将上述第2绝缘膜贯通的第2接触孔，在上述透明电极膜形成工序中，形成连接部，上述连接部包括上述透明电极膜，以横跨上述第1接触孔和上述第2接触孔的方式延伸，连接到上述第1接触部和上述第2接触部。