[发明专利]一种EUV光刻胶及其制备方法与应用有效
申请号: | 201811126499.5 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN109164685B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 邓海;钱晓飞;杨振宇 | 申请(专利权)人: | 珠海雅天科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 俞梁清 |
地址: | 519000 广东省珠海市横琴新区环*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 euv 光刻 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种EUV光刻胶,其特征在于:包括聚合物、光产酸剂、淬灭剂、含氟表面活性剂和溶剂,所述聚合物的主链中含有A、B和C三种结构单元:
其中,所述A1、B1、B2、C1为无或相互独立的一个或多个取代基;所述聚合物、光产酸剂、淬灭剂、含氟表面活性剂和溶剂的质量比为50-200:10-100:1-5:0.1-1:1000-5000;所述A选自以下结构式:
所述B选自以下结构式:
所述C选自以下结构式:
所述光产酸剂的化学结构式选自以下组:和/或其中,D1、D2、D3、E1、E2、X1、Y1分别相互为独立的取代基团,D1、D2、D3分别为芳香烃或烷基基团;E1、E2分别为芳香烃或烯烃或炔烃基团;X1、Y1分别为阴离子基团;若所述光产酸剂中包含则选自以下化合物:
若所述光产酸剂中包含则所述选自以下化合物:
所述淬灭剂为胺类化合物,其结构通式如下:式中,F1、F2和F3分别为相互独立的取代基团,所述淬灭剂选自以下化合物:
所述溶剂包括以下组分中的一种或多种:PGMEA、PGME、乳酸乙酯、NMP。
2.一种如权利要求1所述的EUV光刻胶的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1、选择聚合物单体并将所述聚合物单体通过聚合反应制得聚合物,所述聚合物单体中含有A、B和C三种结构单元;
S2、将上述操作制得的聚合物、光产酸剂、淬灭剂、含氟表面活性剂和溶剂按照质量比为50-200:10-100:1-5:0.1-1:1000-5000混合,过滤制得所述EUV光刻胶。
3.一种如权利要求1所述的EUV光刻胶的在光刻中的应用。
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