[发明专利]一种EUV光刻胶及其制备方法与应用

说明书

本发明公开了一种EUV光刻胶及其制备方法与应用，包括聚合物、光产酸剂、淬灭剂、含氟表面活性剂和溶剂，所述聚合物的主链中含有A、B或C三种结构单元中的一种或一种以上：其中，所述A₁、B₁、B₂、C₁为无或相互独立的一个或多个取代基。所述制备方法包括以下步骤：S1、选择聚合物单体并将所述聚合物单体通过聚合反应制得聚合物，所述聚合物单体中含有A、B或C三种结构单元中的一种或多种；S2、将上述操作制得的聚合物、光产酸剂、淬灭剂、含氟表面活性剂和溶剂按照质量比混合，过滤制得所述EUV光刻胶。与现有技术相比，该EUV光刻胶在EUV或E‑beam光刻中具有广泛的应用前景。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种EUV光刻胶及其制备方法与应用。

背景技术

自从半导体技术发明以来，图形的转换都是通过光刻技术实现的。光刻技术已成为当今科学技术制备微电子器件、光电子器件的关键技术。光刻技术的发展遵循Moore定律，即半导体器件的尺寸不断缩小，密度不断增加，目前的半导体光刻工艺已进入了10nm时代。利用193nmArF光刻技术已经接近极限，而波长13.5nm的极紫外EUV光刻技术将成为下一代光刻的主体。

目前研发的EUV设备由于光源经过棱镜多次反射后，相对于193nm光刻技术，光强有极大的衰减，传统的EUV光刻胶在极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography，EUV)光刻中光敏性较差，导致线宽粗糙度(Line Width Roughness，LWR)较大，然而，对于EUV光刻胶的研发，目前还处于空白阶段。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种光敏性好、分辨率高的EUV光刻胶及其制备方法与应用，本发明方案的EUV光刻胶在现有技术中的EUV光刻胶基础上增强了EUV光刻胶的光敏性，使其适用于EUV光刻。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种EUV光刻胶，包括聚合物、光产酸剂、淬灭剂、含氟表面活性剂和溶剂，所述聚合物的主链中含有A、B或C三种结构单元中的一种或一种以上：

其中，所述A₁、B¹、B²、C¹为无或相互独立的一个或多个取代基。

进一步地，所述聚合物、光产酸剂、淬灭剂、含氟表面活性剂和溶剂的质量比为50-200：10-100：1-5：0.1-1：1000-5000。

优选地，所述A₁、B¹、B²分别为酯基、环状烷基或甾体取代基。

优选地，所述A选自以下结构式：

所述B选自以下结构式：

所述C选自以下结构式：

进一步地，所述光产酸剂的化学结构式选自以下组：和/或其中，D¹、D²、D³、E¹、E²、X¹、Y¹分别相互独立，D¹、D²、D³分别为芳香烃或烷基基团；E¹、E²分别为芳香烃或烯烃或炔烃基团；X¹、Y¹分别为阴离子基团。