[发明专利]一种高压器件的制作方法及MOS管器件在审
| 申请号： | 201811126707.1 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109300987A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 赵东光;占琼 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压器件区域 高压器件区域 栅极氧化层 氮化层 衬底表面 衬底 去除 高压器件 工艺窗口 蚀刻 多晶硅层 厚度落差 后续工艺 覆盖 减小 刻蚀 掩膜 预设 制作 暴露 | ||
1.一种高压器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底包括一高压器件区域与一低压器件区域，于所述衬底上形成覆盖所述高压器件区域与所述低压器件区域的氮化层；
所述高压器件的制作方法具体包括：
步骤S1、于所述氮化层上开设一暴露所述高压器件区域的工艺窗口，以所述氮化层为掩膜，形成一覆盖所述高压器件区域的栅极氧化层，并使所述栅极氧化层位于所述低压器件区域的所述衬底表面以下，且具有第一预设厚度；
步骤S2、去除位于所述低压器件区域的所述衬底表面以上的所述栅极氧化层；
步骤S3、去除所述氮化层，然后进行后续工艺。
2.根据权利要求1所述的高压器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S10、于所述氮化层上形成一光刻胶层，图形化所述光刻胶层以形成一第一窗口；
步骤S11、以所述光刻胶层为掩模刻蚀所述氮化层，以于所述氮化层上形成所述工艺窗口；
步骤S12、以所述氮化层为掩膜形成所述栅极氧化层。
3.根据权利要求1所述的高压器件的制作方法，其特征在于，所述栅极氧化层总的厚度为所述第一预设厚度的2-2.5倍。
4.根据权利要求1所述的高压器件的制作方法，其特征在于，通过一第一清洗液去除位于所述低压器件区域的所述衬底表面以上的所述栅极氧化层。
5.根据权利要求1所述的高压器件的制作方法，其特征在于，通过一第二清洗液去除所述氮化层。
6.根据权利要求1所述的高压器件的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅；和/或
所述氮化层为氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的高压器件的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度大于
8.一种MOS管器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括一高压器件区域与一低压器件区域，所述高压器件区域与所述低压器件区域通过浅沟槽结构隔开；
所述高压器件区域包括高压器件栅极，及位于所述高压器件栅极与所述衬底之间的高压区域栅极氧化层；
所述低压器件区域包括低压器件栅极，及位于所述低压器件栅极与所述衬底之间的低压区域栅极氧化层；
所述高压器件区域栅极氧化层的上表面与所述低压器件区域栅极氧化层的上表面齐平。
9.根据权利要求8所述的MOS管器件，其特征在于，所述高压器件区域栅极氧化层的厚度大于所述低压器件区域栅极氧化层的厚度。
10.根据权利要求9所述的MOS管器件，其特征在于，所述高压器件区域栅极氧化层的厚度与所述低压器件区域栅极氧化层的厚度之差为
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