[发明专利]一种高压器件的制作方法及MOS管器件

说明书

本发明公开一种高压器件的制作方法及MOS管器件，提供一衬底，衬底包括高压器件区域与低压器件区域，于衬底上形成覆盖高压器件区域与低压器件区域的氮化层；包括步骤S1、于氮化层上开设暴露高压器件区域的工艺窗口，以氮化层为掩膜，形成覆盖高压器件区域的栅极氧化层，并使栅极氧化层位于低压器件区域的衬底表面以下，且具有第一预设厚度；步骤S2、去除位于低压器件区域的衬底表面以上的栅极氧化层；步骤S3、去除氮化层，然后进行后续工艺。有益效果：通过去除位于低压期间区域的衬底表面以上的栅极氧化层，以使得高压器件区域与低压器件区域的栅极氧化层的厚度落差减小，提高晶圆光刻的自由度，扩大后续蚀刻层次，比如多晶硅层刻蚀的工艺窗口。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种高压器件的制作方法及MOS管器件。

背景技术

随着集成电路的发展，高压器件应用于很多集成电路中，比如存储类电路中必需的器件来完成编写程序与擦除功能，并且为了满足高压器件的操作要求，要求高压栅极氧化层的厚度较厚，同时，电路中需要的逻辑器件来满足速度要求，其中，逻辑器件的栅极氧化层很薄。

目前，高压器件的栅极氧化层的生长过程是，首先沉积一层氮化硅层，比如厚度设置为200埃，然后通过干法刻蚀或者湿法刻蚀方式刻蚀位于高压器件区域的氮化硅层，以生长出高压器件的栅极氧化层，比如厚度设置为440埃，而低压器件区域受氮化硅层保护，没有高压器件的栅极氧化层生长。

当前的工艺由于高压器件的栅极氧化层很厚，其中大约有237埃位于衬底表面的上部，大约有202埃位于衬底表面的下部，而低压器件的栅极氧化层很薄，其中大约为36埃，这样导致高压器件的栅极氧化层比低压器件的栅极氧化层的厚度高200埃，使得高压器件的栅极氧化层比低压器件的栅极氧化层的厚度存在较大的差异，使得后续工艺困难，比如降低多晶硅层的光刻自由度，比如影响多晶硅刻蚀的工艺窗口等。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种高压器件的制作方法及MOS管器件。

具体技术方案如下：

一种高压器件的制作方法，其中包括：

提供一衬底，于所述衬底包括一高压器件区域与一低压器件区域，于所述衬底上形成覆盖所述高压器件区域与所述低压器件区域的氮化层；

所述高压器件的制作方法具体包括：

步骤S1、于所述氮化层上开设一暴露所述高压器件区域的工艺窗口，以所述氮化层为掩膜，形成一覆盖所述高压器件区域的栅极氧化层，并使所述栅极氧化层位于所述低压器件区域的所述衬底表面以下，且具有第一预设厚度；

步骤S2、去除位于所述低压器件区域的所述衬底表面以上的所述栅极氧化层；

步骤S3、去除所述氮化层，然后进行后续工艺。

优选的，所述步骤S1包括：

步骤S10、于所述氮化层上形成一光刻胶层，图形化所述光刻胶层以形成一第一窗口；

步骤S11、以所述光刻胶层为掩模刻蚀所述氮化层，以于所述氮化层上形成所述工艺窗口；

步骤S12、以所述氮化层为掩膜形成所述栅极氧化层。

优选的，所述栅极氧化层总的厚度为所述第一预设厚度的2-2.5倍。

优选的，通过一第一清洗液去除位于所述低压器件区域的所述衬底表面以上的所述栅极氧化层。

优选的，通过一第二清洗液去除所述氮化层。

优选的，所述衬底为硅；和/或所述氮化层为氮化硅层。

优选的，所述氮化硅层的厚度大于200A°。