[发明专利]一种肖特基晶粒的预焊方法在审
申请号: | 201811127995.2 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN109346413A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 何利英 | 申请(专利权)人: | 江华绿宝石新能源储能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 425500 湖南省永州市江华*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 肖特基 晶粒 晶圆 锡膏 正表面 覆盖 焊接炉 丝网 预焊 焊接 生产效率 丝网印刷 自动排列 可透过 划伤 良率 治具 切割 送入 摩擦 取出 印刷 生产 | ||
本发明涉及肖特基晶粒的预焊方法,该方法包括以下步骤:步骤一,将丝网覆盖在肖特基晶圆的正表面;步骤一,将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆的正表面上,丝网与肖特基晶圆分开;步骤三,将正表面印刷有锡膏的肖特基晶圆送入焊接炉中进行焊接,使锡膏均匀的覆盖在肖特基晶圆正表面;步骤四,焊接完成后,将肖特基晶圆从焊接炉中取出,进行切割,以得到正面覆盖有锡膏的肖特基晶粒。通过本发明所制得的晶粒可透过治具自动排列方向,提高生产效率,且在排列作业中因晶粒正面已被锡膏覆盖,可避免摩擦及晶粒相互碰撞造成正面划伤,提高生产良率及材料可靠性。
技术领域
本发明涉及半导体工艺领域,尤其涉及到一种肖特基晶粒的预焊方法。
背景技术
采用传统方法制作的肖特基晶粒因外型尺寸因素,无法使用治具自动排列方向,生产效率低,且在排列作业中晶粒正面会因摩擦治具及晶粒间相互碰撞造成划伤,影响生产良率及材料可靠性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种肖特基晶粒的预焊方法,使得晶圆切割后得到的一颗颗独立的晶粒可通过治具自动排列方向,以提高生产效率。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种肖特基晶粒的制作方法,包括以下步骤:
步骤一,将丝网覆盖在肖特基晶圆的正表面;
步骤一,将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆的正表面上,丝网与肖特基晶圆分开;
步骤三,将正表面印刷有锡膏的肖特基晶圆送入焊接炉中进行焊接,使锡膏均匀的覆盖在肖特基晶圆正表面;
步骤四,焊接完成后,将肖特基晶圆从焊接炉中取出,进行切割,以得到正面覆盖有锡膏的肖特基晶粒。
进一步,所述肖特基晶粒正面形成有呈凸台状的锡膏。
进一步,所述凸台状的锡膏是球冠状的锡膏。
本发明的有益效果是:将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆正面,进炉焊接后锡膏均匀覆盖在晶圆正面,待晶圆切割后,一颗颗独立晶粒可透过治具自动排列方向,提高生产效率,且在排列作业中因晶粒正面已被锡膏覆盖,可避免摩擦及晶粒相互碰撞造成正面划伤,提高生产良率及材料可靠性。
附图说明
图1为本发明肖特基晶粒的预焊方法的流程图;
图2为采用本发明肖特基晶粒的预焊方法中焊接完成后的肖特基晶圆俯视图;
图3为肖特基晶圆切割后形成的晶粒俯视图;
图4为肖特基晶圆切割后形成的晶粒侧视图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、肖特基晶圆正表面,2、锡膏,3、晶粒。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
图1为本发明肖特基晶粒的预焊方法的流程图,如图1所示,肖特基晶粒的制作方法包括以下步骤:
步骤101,将丝网覆盖在肖特基晶圆的正表面。
步骤102,将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆的正表面上,然后将丝网与肖特基晶圆分开。
步骤103,将正表面印刷有锡膏的肖特基晶圆送入焊接炉中进行焊接,使锡膏均匀的覆盖在肖特基晶圆正表面。
步骤104,焊接完成后,将肖特基晶圆从焊接炉中取出,进行切割,以得到正面覆盖有锡膏的肖特基晶粒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造