[发明专利]使用内部存储器设备代码的存储器控制器错误校验过程在审

专利信息
申请号: 201811129501.4 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN109582494A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: K.E.克里斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 秦宝龙;闫小龙
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 错误校验代码 存储器控制器 存储器设备 错误校验逻辑 电路 内部存储器设备 错误校验 过程描述 接收数据 数据生成
【说明书】:

描述了一种装置。该装置包括用来从存储器设备接收数据的存储器控制器。该存储器控制器包括错误校验逻辑电路。该错误校验逻辑电路用来从存储器设备接收错误校验代码。该错误校验代码是在存储器设备内根据该数据生成的。该错误校验逻辑电路包括用来根据从存储器设备接收到的数据来生成错误校验代码的第二版本并且将所接收到的错误校验代码与错误校验代码的第二版本相比较以了解从存储器控制器接收的该数据是否被损坏的电路。

技术领域

发明的领域总体上涉及计算科学,并且更具体地涉及使用内部存储器设备代码的存储器控制器错误校验过程。

背景技术

在许多计算机系统中,一个相关的问题是系统存储器(也被称为“主存储器”)。在这里,正如本技术中所理解的那样,计算系统通过执行存储在系统存储器中的程序代码和从系统存储器读取程序代码对其进行操作的数据/将程序代码对其进行操作的数据写到系统存储器来操作。照此,在计算系统的操作的过程内,许多程序代码和数据读以及许多数据写大量利用系统存储器。因此,寻找提高系统存储器访问性能的方式是计算系统工程师的一个动机。

附图说明

可以结合下面附图从下面的详细描述获得本发明的更好理解,在其中:

图1示出x4 DIMM和x8 DIMM;

图2示出另一组x4和x8 DIMM;

图3a、3b和3c涉及错误校验过程;

图4示出SEC代码;

图5示出错误校验过程;

图6示出计算系统。

具体实施方式

如在本领域中已知的,双列直插式存储器模块(DIMM)被用来实施各种种类的计算系统(例如服务器、个人计算机塔等等)中的系统存储器(也被称为主存储器)。在典型场景中,一个或多个DIMM相应地插入部署在母板上的一个或多个存储器通道连接器中。

图1示出两种不同类型的现有技术DIMM。第一DIMM 110被称为“X4 DIMM”。第二DIMM 120被称为“X8 DIMM”。如在图1中观察到的,每种类型的DIMM 110、120在每个DIMM侧上都包括八个存储器芯片1一直到8。“X4”指示每个存储器设备存在4位并且“X8”指示每个存储器设备存在8位。照此,X4 DIMM 110在DIMM 110的每侧上具有32位数据总线并且X8DIMM在DIMM 120的每侧上具有64位数据总线(不同的DIMM侧都由贯穿在图1中描绘的每个DIMM 110、120的中间的一条虚线分开)。

在这里,DIMM卡110、120要插入的存储器通道具有64位数据总线。该存储器通道通常被设计成具有可以插入存储器通道中的存储器的许多可单独寻址的存储器区块(rank)。照此,整个x4 DIMM 110表现为单个64位区块。相比而言,x8 DIMM 102的每侧表现为64位区块。

DIMM 110、120二者也包括板载ECC芯片。在这里,在各种实现中,存储器通道的64位数据总线还保留用于纠错编码(ECC)信息的8位。如在本领域中已知的,存储器控制器将64位数据字写入存储器芯片1一直到8中的每一个的具体地址。也就是说,在X4 DIMM的情况下,存储器控制器将4个唯一位写入十六个存储器芯片的每一个中(两个DIMM侧上8个芯片),而在X8 DIMM的情况下,存储器控制器将8个唯一位写入八个存储器芯片的每一个中(在DIMM的特定侧上的一组八个存储器芯片)。

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