[发明专利]一种预估器件可靠性的方法及装置

说明书

本发明公开了一种预估器件可靠性的方法及装置，该方法包括获取待测试器件的测试温度集合，其中测试温度集合包括多个测试温度，根据多个测试温度，对待测试器件增加电压，预估待测试器件的可靠性。该技术方案预先设定待测试器件的测试温度集合，并根据测试温度集合中的多个测试温度，对待测试器件增加电压，预估待测试器件在多个测试温度下的可靠性，提前检测出功率器件中的不良品，以提高可靠性测试的效率。

技术领域

本发明实施例涉及测量及分析技术，尤其涉及一种预估器件可靠性的方法及装置。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)是变频家电、新能源汽车等领域的核心技术，其制作工艺复杂，功能强大，在变频家电中发挥着重大的作用。因此，对IGBT功率器件的可靠性要求非常高。在IGBT流片封装完成之后，需要经过一系列的环境寿命测试和可靠性试验。现有技术中，可靠性测试数量巨大，测试费用高，且部分测试项目测试时间较长，可超过上百小时。

对功率器件进行可靠性测试之前，需要预估其可靠性，提前检测出功率器件中的不良品，以提高可靠性测试的效率。

发明内容

本发明实施例提供一种预估器件可靠性的方法及装置，预估功率器件的可靠性，提前检测出功率器件中的不良品，以提高可靠性测试的效率。

本发明实施例提供的一种预估器件可靠性的方法，包括：

获取待测试器件的测试温度集合，所述测试温度集合包括多个测试温度；

根据所述多个测试温度，对所述待测试器件增加电压，预估所述待测试器件的可靠性。

上述实施例中，预先设定待测试器件的测试温度集合，并根据测试温度集合中的多个测试温度，对待测试器件增加电压，预估待测试器件在多个测试温度下的可靠性。

可选的，所述根据所述多个测试温度，对所述待测试器件增加电压，预估所述待测试器件的可靠性，包括：

将所述测试温度集合的第一个测试温度确定为当前测试温度，调节所述待测试器件的温度至所述当前测试温度；并对调节温度后的所述待测试器件增加电压；

根据增加电压后的所述待测试器件的漏电流，确定所述待测试器件是否通过所述当前测试温度的可靠性预估测试；

若是，则将位于所述第一个测试温度之后的测试温度确定为当前测试温度，继续预估所述待测试器件的可靠性，直到所述待测试器件通过所述测试温度集合中的最后一个测试温度的可靠性预估测试或未通过当前测试温度的可靠性预估测试为止。

上述实施例中，依次对多个温度下的待测试器件增加电压，预估待测试器件在多个温度下的可靠性。第一个测试温度为测试温度集合中最低的温度，将第一个测试温度确定为当前测试温度，若将该待测试器件调节至第一个测试温度后，判断该待测试器件是否通过第一个测试温度的可靠性预估测试。若通过，则将除第一个测试温度以外的最低温度作为当前测试温度，并将该待测试器件调节至当前测试温度后，判断该待测试器件是否通过该当前测试温度的可靠性预估测试。也就是将该待测试器件的温度逐一调节至测试温度集合中的温度，并判断该待测试器件是否通过温度对应的可靠性预估测试，若待测试器件未通过某一温度对应的可靠性预估测试，则不进行该温度后面的温度对应的可靠性预估测试，更不会进行功率器件的可靠性测试，相对提高可靠性测试的效率。

可选的，所述根据增加电压后的所述待测试器件的漏电流，确定所述待测试器件是否通过所述当前测试温度的可靠性预估测试，包括：

根据增加电压后的所述待测试器件的漏电流，确定所述待测试器件的击穿电压；

若所述待测试器件的击穿电压不小于可靠器件的击穿电压，则确定所述待测试器件通过所述当前测试温度的可靠性预估测试；否则，确定所述待测试器件未通过所述当前测试温度的可靠性预估测试。