[发明专利]对焦补偿的方法及其设备在审

专利信息
申请号: 201811129778.7 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN108965735A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 桂宇畅 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H04N5/235 分类号: H04N5/235;H04N5/232
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 曝光机 对焦 量测 对焦补偿 待测物 补正 镜组 线段 对焦条件 轴线方向 产品量 测线 线宽 反馈 焦点
【说明书】:

发明公开一种对焦补偿的方法及其设备,包含以下步骤:(S11)提供一曝光机镜组,具有一焦点;(S12)提供一待测物,对所述待测物以多个不同的对焦条件对多个线段的一轴线方向上的多个点进行量测多个线宽,以得到多个量测值,将所述多个量测值形成至少一线宽曲线;以及(S13)依照所述至少一线宽曲线对所述曝光机镜组的一对焦作业进行补正。本发明通过对产品量测线宽,并反馈所述曝光机的对焦情况,再经过对曝光机对焦的补正,以达到改善曝光机对焦的精度。

技术领域

本发明是有关于一种对焦补偿的方法及其设备,特别是有关于一种曝光机台的对焦补偿的方法及其设备。

背景技术

近年来,半导体集成电路的高集成化及微细化的需求,对于对焦的精度要求越加严格。以液晶显示器行业为例,随着对液晶屏幕分辨率的要求越来越高,产品对曝光机的对焦精度随着具有更高的要求。一般而言,目前技术主要通过曝光机对多个点位计测来提高对焦的稳定性。然而,显示器的低温多晶硅制程在实际曝光机的对焦使用上仍具有下述问题,例如:因低温多晶硅制程中层别堆叠复杂,且光罩自身平整度、挠曲量等参数,会对曝光机对焦的精度造成较大的影响。

故,有必要提供一种对焦补偿的方法,以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种对焦补偿的方法,以解决现有技术所存在的曝光机对焦精度不足的问题。

本发明的主要目的在于提供一种对焦补偿的方法,其可以改善曝光机对焦的精度。

本发明的次要目的在于提供一种对焦补偿的方法,其可以考量待测物自身平整度、挠曲量,进而对曝光机的对焦进行补正,以达到改善曝光机对焦的精度。

为达成本发明的前述目的,本发明一实施例提供一种对焦补偿的方法,其中所述对焦补偿的方法包含︰(S11)提供一曝光机镜组,具有一焦点;(S12)提供一待测物,对所述待测物以多个不同的对焦条件对多个线段的一轴线方向上的多个点进行量测多个线宽,以得到多个量测值,将所述多个量测值形成至少一线宽曲线;以及(S13)依照所述至少一线宽曲线对所述曝光机镜组的一对焦作业进行补正。

再者,本发明另一实施例另提供一种对焦补偿的设备,其中所述对焦补偿的设备包含︰一曝光机镜组,具有一焦点;一待测物平台,配置用以放置一待测物,所述曝光机镜组对所述待测物以多个不同的对焦条件对多个线段的一轴线方向上的多个点进行量测多个线宽,以得到多个量测值;一处理模组,配置用以将所述多个量测值形成至少一线宽曲线,并依照所述至少一线宽曲线生成一补偿信号;及一通信模组,配置用以将所述补偿信号传送至所述曝光机镜组,以所述曝光机镜组的一对焦作业进行补正。

在本发明的一实施例中,所述多个不同的对焦条件为将所述待测物置于多个不同焦平面下,并对所述待测物进行量测所述线宽。

在本发明的一实施例中,所述多个不同的对焦条件为将所述待测物置于五个焦平面下,其中所述五个焦平面为所述焦点-40微米、所述焦点-20微米、所述焦点、所述焦点+20微米及所述焦点+40微米。

在本发明的一实施例中,所述的步骤(S12)更包含:将所述焦点处量测的一第一线宽与所述线宽曲线中的最低点处的一第二线宽相减,以得到一补偿值;及利用所述补偿值对所述曝光机镜组的一对焦作业进行补正。

在本发明的一实施例中,所述的步骤(S12)更包含:对所述多个线段的多个轴线方向上的多个点量测所述多个线宽,以得到多个线宽曲线;及通过所述多个线宽曲线得到多个补偿值,以利用所述多个补偿值将所述曝光机镜组对所述多个线段的多个轴线方向上的多个点处的所述对焦作业进行补正。

在本发明的一实施例中,所述待测物平台包含一高度调整机构,配置用以将所述待测物平台设置为不同高度,用于将所述待测物置于多个不同焦平面下,并对所述待测物进行量测所述线宽。

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