[发明专利]3D存储器件在审
| 申请号： | 201811130282.1 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109119425A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 骆中伟;何佳;韩玉辉;刘藩东;华文宇;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅叠层结构 存储器件 隔离层 绝缘叠层 衬底 导电通道 交替堆叠 栅极导体 绝缘层 垂直 孔洞 穿过 层间绝缘层 平滑曲面 第一层 外侧壁 牺牲层 短路 贯穿 平滑 沟道 良率 环绕 申请 | ||
1.一种3D存储器件，包括：
衬底；
位于所述衬底上方的栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个第一层间绝缘层；
沿垂直于所述衬底的方向穿过所述栅叠层结构的绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个第二层间绝缘层；
沿垂直于所述衬底的方向穿过所述栅叠层结构的隔离层，所述隔离层环绕所述绝缘叠层；
贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱；以及
贯穿所述绝缘叠层结构的导电通道，
其中，所述隔离层的外侧壁的至少一部分为平滑曲面。
2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述隔离层在垂直于堆叠方向上的横截面为包括选自圆环、椭圆环和跑道环中的任一种。
3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述隔离层的材料包括绝缘物质。
4.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第一层间绝缘层与第二层间绝缘层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述栅叠层结构中的多个所述第一层间绝缘层与所述绝缘叠层结构中的多个所述牺牲层一一对应，每个所述第一层间绝缘层与对应的所述牺牲层位于同一层。
6.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述隔离层沿周向方向具有均匀厚度。
7.根据权利要求1所述的3D存储器件，所述栅叠层结构包括核心区和包围所述核心区的台阶区，
所述存储器件还包括：邻近所述隔离层的至少一部分外侧壁的多个假沟道柱，所述假沟道柱穿过所述栅叠层结构的核心区。
8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，所述多个假沟道柱中的至少一些假沟道柱与所述隔离层之间的距离比所述至少一些假沟道柱与所述沟道柱之间的距离更小。
9.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述导电通道包括多个导电柱组成的阵列。
10.根据权利要求1所述的3D存储器件，还包括：位于所述衬底中的COMS电路，所述导电通道提供所述CMOS电路与外部电路之间的电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
