[发明专利]用于光刻的设备及清洁静电式掩模固定座的方法及设备

权利要求书

1.一种用于光刻的设备，包括：

一曝光腔，提供一低压环境并具有一气流控制器，该气流控制器配置用于使该曝光腔增压或减压；

一掩模座，设置于该曝光腔；

一静电式掩模固定座，设置于该曝光腔，该静电式掩模固定座配置用于固定一掩模；以及

一超音波换能器，配置用于施加一超音波至该静电式掩模固定座，且该超音波通过该掩模座传导至该静电式掩模固定座，

其中该超音波配置用于自该静电式掩模固定座去除颗粒物质，

其中该超音波换能器嵌入该掩模座的主体。

2.如权利要求1所述的用于光刻的设备，还包括一控制器，该控制器配置用于控制该超音波换能器以及该气流控制器。

3.如权利要求2所述的用于光刻的设备，其中该控制器配置用于将使用该气流控制器的一增压操作或一降压操作，与使用该超音波换能器对该掩模固定座的该超音波的施加进行同步。

4.如权利要求1所述的用于光刻的设备，还包括：

一掩模感测器，该掩模感测器配置用于感测该掩模固定座上一掩模的存在。

5.如权利要求4所述的用于光刻的设备，还包括一控制器，该控制器配置用于控制该超音波换能器以及该气流控制器，并配置用于根据来自该掩模感测器表示该掩模未设置于该静电式掩模固定座上的信号启动该超音波的一施加。

6.如权利要求1所述的用于光刻的设备，其中该静电式掩模固定座包括多个凸起，并具有介于5μm至100μm的范围之间的高度。

7.如权利要求1所述的设备，其中该颗粒物质具有介于10nm至50nm的范围之间的平均直径。

8.如权利要求1所述的用于光刻的设备，其中该气流控制器配置用于以介于1标准升每分钟至20标准升每分钟的范围之间的一气体流动速率加压或减压该曝光腔。

9.如权利要求1所述的用于光刻的设备，其中该超音波换能器配置用于施加具有从20kHz到5GHz的范围内的频率的超音波。

10.如权利要求1所述的设备，其中该超音波换能器配置用于施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。

11.一种清洁一静电式掩模固定座的方法，该静电式掩模固定座使用在一光刻系统，包括：

对该光刻系统的一曝光腔增压或减压，该静电式掩模固定座设置于在由该曝光腔围绕的一空间当中；以及

在增压或减压该曝光腔的过程中，通过一超音波换能器施加一超音波，且该超音波通过一掩模座传导至该静电式掩模固定座；

其中该超音波配置用于自该静电式掩模固定座移除颗粒状物质，

其中该超音波换能器嵌入该掩模座的主体。

12.如权利要求11所述的清洁一静电式掩模固定座的方法，还包括在施加该超音波至该静电式掩模固定座之前，感测一掩模在该静电式掩模固定座上的存在。

13.如权利要求12所述的清洁一静电式掩模固定座的方法，其中该超音波的施加是在感测该掩模未存在于该静电式掩模固定座时执行。

14.如权利要求11所述的清洁一静电式掩模固定座的方法，其中该超音波的施加包括施加具有从20kHz到5GHz的范围内的频率的超音波。

15.如权利要求11所述的清洁一静电式掩模固定座的方法，其中该超音波的施加包括施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。