[发明专利]用于光刻的设备及清洁静电式掩模固定座的方法及设备有效

专利信息
申请号: 201811131646.8 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN109814339B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 林钰富;张东荣;陈家桢 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳;李琛
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 光刻 设备 清洁 静电 式掩模 固定 方法
【说明书】:

本公开提出一种用于光刻的设备,一种清洁一静电式掩模固定座的方法以及一种清洁一静电式掩模固定座的设备。用于清洁使用于一光刻系统内的静电式掩模固定座的设备,包括供应低压环境于静电式掩模固定座的一腔体,以及配置用于施加超音波至静电式掩模固定座的一超音波换能器。此设备还包括配置用于控制超音波换能器的控制器,以及一气流控制器。气流控制器配置用于使腔体加压或减压。

技术领域

本公开涉及用于光刻的多种方法及设备,特别涉及清洁用于一光刻工具的一掩模固定座。

背景技术

半导体集成电路(IC)的功能密度(亦即,在每一芯片内的相互连结的装置的数量)在过去几年已具有成长。通过减少芯片上每一装置的体积,功能密度的成长得已实现。半导体制造技术,例如光刻,需要持续这种装置的体积持续缩小的趋势,是通过减少用于光刻中的光线的波长而被符合。

举例而言,用于光刻的辐射的波长已由紫外线减少至深紫外线(DUV),近来减少至极紫外线(EUV)。元件尺寸的进一步减小需要进一步改进使用极紫外光光刻(极紫外光光刻)可实现的光刻分辨率。极紫外光光刻采用具有约1-100nm波长的辐射。

由于极紫外线的辐射是离子辐射,极紫外光光刻通常在低压或者类真空的情况下执行。在此类情况下,通常用于深紫外线光刻的吸取式掩模固定座无法发生作用。因此,采用静电式掩模固定座固定用于极紫外光光刻的掩模(mask)。

发明内容

根据本公开的一个层面,一种用于光刻的设备包括一曝光腔,腔体提供一低压环境。腔体具有一气流控制器,气流控制器配置用于使曝光腔加压或减压。一静电夹设置于曝光腔。静电夹配置用于固定一掩模。设备还包括一超音波换能器,配置用于施加超音波至静电夹。超音波配置用于自静电夹去除颗粒物质。

根据本公开的另一个层面,一种清洁使用在一光刻系统的一静电夹的方法包括对光刻系统的一曝光腔增压或减压。静电夹设置于在由腔体围绕的一空间当中。上述方法还包括在增压或减压曝光腔的过程中,施加超音波至静电夹。超音波配置用于自静电夹移除颗粒状物质。

根据本公开的另一个层面,一清洁用于一光刻系统的一静电夹的设备包括供应一低压环境于静电夹的一曝光腔,以及配置用于施加超音波至静电夹的一超音波换能器。上述设备还包括配置用于控制超音波换能器的一控制器以及一气流控制器。气流控制器配置用于使曝光腔加压或减压。

本公开提出一种用于光刻的设备,包括:一曝光腔,提供一低压环境并具有一气流控制器,该气流控制器配置用于使该曝光腔增压或减压;一静电式掩模固定座,设置于该曝光腔,该静电式掩模固定座配置用于固定一掩模;以及一超音波换能器,配置用于施加超音波至该静电式掩模固定座,其中该超音波配置用于自该静电式掩模固定座去除颗粒物质。

根据本公开有利的是,用于光刻的设备还包括一控制器,并且该控制器配置用于将使用该气流控制器的一增压操作或一降压操作,与使用该超音波换能器施加该超音波至该掩模固定座的操作进行同步。

根据本公开有利的是,该控制器配置用于将使用该气流控制器的一增压操作或一降压操作,与使用该超音波换能器对该掩模固定座的该超音波的一施加进行同步。

根据本公开有利的是,用于光刻的设备还包括:一掩模感测器,该掩模感测器配置用于感测该掩模固定座上一掩模的存在;以及一控制器,该控制器配置用于控制该超音波换能器以及该气流控制器,并配置用于根据来自该掩模感测器表示该掩模未设置于该静电式掩模固定座上的信号。

根据本公开有利的是,用于光刻的设备还包括一控制器,该控制器配置用于控制该超音波换能器以及该气流控制器,并配置用于根据来自该掩模感测器的信号启动该超音波的一施加,该掩模未设置于该静电式掩模固定座上。

根据本公开有利的是,该静电式掩模固定座包括多个凸起,并具有介于5μm至100μm的范围之间的高度。

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