[发明专利]一种低电阻圆柱晶振的加工方法

权利要求书

1.一种低电阻圆柱晶振的加工方法，其特征在于：所述低电阻圆柱晶振的加工方法包括如下步骤：

（1）切割，挑选合格的石英晶片，将挑选合格的石英晶体原材料进行切割处理，将切割后的石英片进行定角研磨，将石英片切割研磨成石英晶棒；

（2）镀银，将步骤（1）中制造出的石英晶棒表面镀一层纯银，镀银厚度为10nm到20nm；

（3）一次点胶，将晶振银胶点在基座上面，通过晶振银胶将引脚与石英晶棒进行固定；

（4）二次点胶，将异向导电胶复合在步骤（3）中的晶振银胶的表面，完成二次点胶过程；

（5）测试，通过专用的测试设备将步骤（4）中的圆柱晶振进行输出频率测量，同时在测试的时候再次补银做微调，便于提高圆柱晶振的工作精度；

（6）封焊，将步骤（5）中的圆柱晶振充满氮气进行密封；

（7）密封性检查，检查封焊后的产品是否有漏气现象；

（8）打标，通过激光在圆柱晶振外表面打上标记；

（9）质量检测，将步骤（8）中的打标后的圆柱晶振进行电性能指标侧视，挑选出不合格的圆柱晶振，保障圆柱晶振的生产质量。

2.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法，其特征在于：所述步骤（1）中采用质量较好、硬度较高的石英晶片。

3.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法，其特征在于：所述步骤（1）中石英晶棒表面光滑无毛刺。

4.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法，其特征在于：所述步骤（1）中的石英晶棒表面需要清洗、烘干工序。

5.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法，其特征在于：所述步骤（2）中的银均匀分布的在石英晶棒表面。

6.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法，其特征在于：所述步骤（4）中的异向导电胶完全复合在晶振银胶表面。

7.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法，其特征在于：所述步骤（7）中的漏气现象检测方式分为粗检漏和细检漏。