[发明专利]多光谱OLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种多光谱OLED器件，由下至上依次包括第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域和第二电极，

其中，

所述空穴传输区域由下至上依次包括阳极界面缓冲层和空穴传输层，

所述阳极界面缓冲层包括传输空穴的主体材料和P型掺杂材料，

所述阳极界面缓冲层内传输空穴的主体材料的HOMO能级大于邻接于阳极界面缓冲层的空穴传输层材料的HOMO能级，以及

所述发光层内同时存在两种或者两种以上不同发光颜色的有机发光材料，它们可以互补形成多光谱发光，

其中所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差≤0.4eV，且

其中所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级和与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级的差值＞0ev且≤0.2eV。

2.根据权利要求1所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级在5.40eV至5.62eV之间。

3.根据权利要求2所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级在5.44eV至5.60eV之间。

4.根据权利要求3所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级在5.47eV至5.58eV之间。

5.根据权利要求1或2所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述阳极界面缓冲膜层的膜厚为1nm至150nm。

6.根据权利要求5所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述阳极界面缓冲膜层的膜厚为1nm至10nm。

7.根据权利要求1或2所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的膜厚为1nm至150nm。

8.根据权利要求7所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的膜厚为30nm至150nm。

9.根据权利要求1或2所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述发光层内至少存在两种或者两种以上发光材料；所述发光层中可以是绿色发光材料与黄色发光材料的双色组合，或绿色发光材料与红色发光材料的双色组合，或黄色发光材料与红色发光材料的双色组合，或绿色发光材料、黄色发光材料和红色发光材料的三色组合，或蓝色发光材料与黄色发光材料的双色组合，或蓝色发光材料与绿色发光材料的双色组合，或蓝色发光材料与红色发光材料的双色组合，或蓝色发光材料与绿色发光材料和红色发光材料的三色组合，或蓝色发光材料与绿色发光材料和黄色发光材料的三色组合，或蓝色发光材料与黄色发光材料和红色发光材料的三色组合，或蓝色发光材料与绿色发光材料、黄色发光材料和红色发光材料的四色组合。

10.根据权利要求1或2所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述器件满足以下公式：

0＜20x*lny*z≤7，

其中，x表示阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差；

y表示阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级；以及

z表示阳极界面缓冲层中的主体材料的HOMO能级和与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级差。

11.根据权利要求10所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述器件满足以下公式：

0.02≤20x*lny*z≤5。

12.根据权利要求11所述的多光谱OLED器件，其特征在于，所述器件满足以下公式：

0.06≤20x*lny*z≤3。