[发明专利]多光谱OLED器件及其制备方法有效
申请号: | 201811132489.2 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN110957424B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 李崇;赵鑫栋;张兆超 | 申请(专利权)人: | 江苏三月科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 苏萌;杨金娟 |
地址: | 214112 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光谱 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种多光谱OLED器件,其由下至上依次包括第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域以及第二电极,其中空穴传输区域包括阳极界面缓冲层和空穴传输层,并且阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级大于与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级,这样可以降低或消除缓冲膜层到空穴传输层材料膜层界面载流子传导势垒,提升阳极界面缓冲层与空穴传输层材料的界面稳定性,进而提升多光谱OLED器件的效率以及驱动稳定性,从而使得该多光谱OLED器件具有高效率和长寿命。本发明还涉及一种制备所述多光谱OLED器件的方法。
技术领域
本发明涉及有机半导体发光器件领域,更具体而言,涉及一种多光谱OLED器件及其制备方法。
背景技术
近年来,有机电致发光二极管(OLED)已经被广泛的研究开发。OLED具有面光源、轻薄、柔性、透明等特点,可以广泛应用于下一代照明和显示领域,具有广阔的市场空间和巨大的应用前景。
OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场的驱动下,通过载流子的注入和复合导致发光。在一定的电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,并在发光层中相遇复合发光。
多光谱OLED器件中,发光层通常是由两种及两种以上光色互补的发光材料组成,这就使得多光谱OLED相比于单色OLED具有更加复杂的器件结构,同时较为复杂的器件结构对于空穴的注入提出了更高的要求。已知现有的OLED器件中,阳极界面缓冲层中的空穴传输主体材料与P型掺杂材料形成电荷转移态后,与空穴传输材料之间会形成较大HOMO能级势垒差,易在阳极界面缓冲层以及空穴传输层界面处形成聚集电荷,影响OLED器件的效率和器件稳定性。
因此,要改善OLED器件的显示效果和显示寿命,应努力提高单个发光像素单元的空穴注入效果,改善发光层内部载流子平衡度。一种新型的技术方案用以克服上述技术难题成为本领域技术人员致力于研究的方向。
发明内容
鉴于现有技术中的不足,本发明旨在提供一种具有高效率、长寿命的多光谱OLED器件及其制备方法,所得多光谱OLED器件可以有效提升其综合性能,并且制作方法简单。
根据本发明的一个方面,提供一种多光谱OLED器件,其由下至上依次包括基板、第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域和第二电极,
其中,
所述空穴传输区域由下至上依次包括阳极界面缓冲层和空穴传输层,
所述阳极界面缓冲层包括传输空穴的主体材料和P型掺杂材料,
所述传输空穴的主体材料的HOMO能级大于邻接于阳极界面缓冲层的空穴传输层材料的HOMO能级,以及,
所述发光层内同时存在两种或者两种以上不同发光颜色的有机发光材料,它们可以互补形成多光谱发光。
优选地,所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级与P型掺杂材料的LUMO能级差≤0.8eV,优选≤0.6eV,更优选≤0.4eV。
优选地,所述阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级范围在5.40eV至5.62eV之间,优选在5.44eV至5.60eV之间,更优选在5.47eV至5.58eV之间。
优选的,所述阳极界面缓冲层中的主体材料的HOMO能级和与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级的差值>0ev且≤0.2eV。
优选的,所述发光层内至少存在两种或者两种以上发光材料;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择