[发明专利]形成半导体器件的方法以及封装件

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

将第一器件管芯与第二器件管芯接合，其中，所述第二器件管芯位于所述第一器件管芯上方，并且其中，第一无源器件形成在包括所述第一器件管芯和所述第二器件管芯的组合结构中，并且所述第一无源器件包括第一端和第二端；

在所述第一器件管芯上方填充间隙填充材料，其中，所述间隙填充材料包括位于所述第二器件管芯的相对侧上的部分；

实施平坦化以露出所述第二器件管芯，其中，所述间隙填充材料的剩余部分形成隔离区；

形成穿过所述隔离区的第一贯通孔和第二贯通孔，以电连接至所述第一器件管芯；以及

形成第一电连接件和第二电连接件，以电连接至所述第一无源器件的第一端和第二端，

所述第一器件管芯包括第三无源器件，所述第三无源器件与所述第一贯通孔和第二贯通孔电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电连接件和所述第二电连接件包括焊料区。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一无源器件的第一端和第二端分别连接至所述第一贯通孔和所述第二贯通孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一无源器件包括电容器。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一无源器件包括电感器。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一器件管芯包括第一金属焊盘，并且所述第二器件管芯包括接合至所述第一金属焊盘的第二金属焊盘，并且所述接合还导致将形成第二无源器件，并且所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘组合形成所述第二无源器件的板。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一器件管芯包括屏蔽环的第一部分，并且所述第二器件管芯包括所述屏蔽环的第二部分，并且所述第一部分接合至所述屏蔽环的第二部分，并且其中，所述屏蔽环包围所述第二无源器件。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三无源器件在所述隔离区下方与所述隔离区垂直对准，所述第三无源器件包括导电板，并且所述间隙填充材料与所述第三无源器件的导电板接触。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述隔离区中形成多个额外的贯通孔，其中，所述多个额外的贯通孔电接地，并且所述多个额外的贯通孔组合以包围位于所述第一无源器件正下方的区域。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

将第一器件管芯与第二器件管芯接合，其中，所述第一器件管芯中的第一金属焊盘接合至所述第二器件管芯中的第二金属焊盘；

将所述第二器件管芯密封在隔离区中；

在所述第二器件管芯和所述隔离区上方形成介电层；

在所述介电层中形成第一无源器件；以及

在所述介电层上方形成第一焊料区和第二焊料区，其中，所述第一焊料区和所述第二焊料区电连接至所述第一无源器件的相对端子，

所述的方法，还包括：

蚀刻所述隔离区以形成第一开口和第二开口；以及

在所述第一开口和所述第二开口中分别形成第一贯通孔和第二贯通孔，其中，所述第一贯通孔和所述第二贯通孔电连接至所述第一无源器件的相对端子。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体器件还包括：第二无源器件，位于所述第一器件管芯中，其中，所述第二无源器件的端子连接至所述第一贯通孔和所述第二贯通孔。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一无源器件与所述隔离区重叠，并且与所述第二器件管芯垂直未对准。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一无源器件与所述第二器件管芯重叠。