[发明专利]形成半导体器件的方法以及封装件

说明书

本发明的实施例涉及一种形成半导体器件的方法，包括将第一器件管芯与第二器件管芯接合。第二器件管芯位于第一器件管芯上方。在包括第一器件管芯和第二器件管芯的组合结构中形成无源器件。无源器件包括第一端和第二端。在第一器件管芯上方形成间隙填充材料，间隙填充材料包括位于第二器件管芯的相对侧上的部分。该方法还包括实施平坦化以露出第二器件管芯，其中，间隙填充材料的剩余部分形成隔离区，形成穿过隔离区的第一贯通孔和第二贯通孔，以电连接至第一器件管芯，并且形成电连接至无源器件的第一端和第二端的第一电连接件和第二电连接件。本发明的实施例还提供了另一种形成半导体器件的方法以及一种封装件。

技术领域

本发明涉及半导体领域，并且更具体地，涉及形成半导体器件的方法以及封装件。

背景技术

集成电路的封装正在变得越来越复杂，其中，将多个器件管芯封装在同一封装件中以实现更多的功能。例如，已经将封装件结构开发成在同一封装件中包括诸如处理器和存储器立方体的多个器件管芯。封装件结构可以包括使用不同技术形成的器件管芯并且具有接合至同一器件管芯的不同功能，从而形成系统。这可以节省制造成本并优化器件性能。

发明内容

根据本发明的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将第一器件管芯与第二器件管芯接合，其中，第二器件管芯位于第一器件管芯上方，并且其中，第一无源器件形成在包括第一器件管芯和第二器件管芯的组合结构中，并且第一无源器件包括第一端和第二端；在第一器件管芯上方填充间隙填充材料，其中，间隙填充材料包括位于第二器件管芯的相对侧上的部分；实施平坦化以露出第二器件管芯，其中，间隙填充材料的剩余部分形成隔离区；形成穿过隔离区的第一贯通孔和第二贯通孔，以电连接至第一器件管芯；以及形成第一电连接件和第二电连接件，以电连接至第一无源器件的第一端和第二端。

根据本发明的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将第一器件管芯与第二器件管芯接合，其中，第一器件管芯中的第一金属焊盘接合至第二器件管芯中的第二金属焊盘；将第二器件管芯密封在隔离区中；在第二器件管芯和隔离区上方形成介电层；在介电层中形成第一无源器件；以及在介电层上方形成第一焊料区和第二焊料区，其中，第一焊料区和第二焊料区电连接至第一无源器件的相对端子。

根据本发明的实施例，提供了一种封装件，包括：第一器件管芯；第二器件管芯，位于第一器件管芯上方并且接合至第一器件管芯；隔离区，包围第二器件管芯；第一贯通孔和第二贯通孔，穿过隔离区以分别连接至第一器件管芯中的第一接合焊盘和第二接合焊盘；以及第一无源器件，包括分别连接至第一贯通孔和第二贯通孔的第一端子和第二端子。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1至图10是根据一些实施例的制造封装件的中间阶段的截面图。

图11至图13示出根据一些实施例的具有通过面至面接合而接合的器件管芯的封装件的截面图。

图14示出根据一些实施例的具有通过面至背接合而接合的器件管芯的封装件的截面图。

图15和图16示出根据一些实施例的示例性无源器件。

图17和图18示出根据一些实施例的形成在屏蔽结构中的示例性无源器件。

图19和图20示出根据一些实施例的封装件嵌入封装件的截面图。

图21示出根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程。

具体实施方式