[发明专利]一种Micro-LED芯片及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811133686.6 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN110970455B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 翟峰;刘会敏;王涛 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 赵传海 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 micro led 芯片 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开一种Micro‑LED芯片及其制备方法、显示装置,该Micro‑LED芯片包括:驱动背板和发光芯片,驱动背板和发光芯片均包括电极,其中:驱动背板的电极上方形成有凹槽,凹槽的底部露出驱动背板的电极;凹槽内填充有导电材料,驱动背板的电极通过凹槽内的导电材料与发光芯片的电极连接,凹槽内的导电材料由导电材料对应的导电墨水固化得到,导电墨水通过喷墨打印的方法打印到凹槽内。发光芯片的电极通过固化后的导电墨水与驱动背板的电极连接,相较于直接将发光芯片的电极与驱动背板的电极焊接而言,由于电极与固化后的导电墨水之间的接触性较好,因此,可以有效改善发光芯片的电极与驱动背板的电极之间的接触性能,提高电极之间连接的可靠性。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种Micro-LED芯片及其制备方法、显示装置。
背景技术
Micro-LED芯片是一种新型的显示芯片,具有自发光、薄型、高效率、高亮度、高解析度、反应时间快等特点,被越来越多的应用到各个显示以及照明领域。
通常,Micro-LED芯片可以包括发光芯片和驱动背板两部分,其中,由于工艺流程的不可兼容,发光芯片和驱动背板需要分别制备得到,在制备得到发光芯片和驱动背板后,可以将发光芯片的电极和驱动背板的电极焊接,以驱动发光芯片发光。
然而,在实际应用中,由于发光芯片的电极和驱动背板的电极尺寸较小,因此,很难有效地将发光芯片的电极和驱动背板的电极焊接,从而影响Micro-LED芯片的性能。
发明内容
本申请提供一种Micro-LED芯片及其制备方法、显示装置,用于解决现有技术中无法有效地将Micro-LED芯片中发光芯片的电极和驱动背板的电极进行有效焊接的问题。
本申请实施例提供一种Micro-LED,包括:驱动背板和发光芯片,所述驱动背板和所述发光芯片均包括电极,其中:
所述驱动背板的电极上方形成有凹槽,所述凹槽的底部露出所述驱动背板的电极;
所述凹槽内填充有导电材料,所述驱动背板的电极通过所述凹槽内的导电材料与所述发光芯片的电极连接,所述凹槽内的导电材料由所述导电材料对应的导电墨水固化得到。优选地,所述导电墨水为纳米银线导电墨水或纳米铜线导电墨水,所述导电墨水通过喷墨打印的方法打印到所述凹槽内。
可选地,所述凹槽的个数为多个,不同凹槽的顶端位于同一水平面上。
可选地,所述凹槽沿垂直于所述驱动背板方向上的截面的形状为弧形、矩形、梯形或其他多边形。
本申请实施例提供一种Micro-LED芯片的制备方法,包括:
提供驱动背板和发光芯片,所述驱动背板和所述发光芯片均包括电极;
在所述驱动背板的电极上方形成凹槽,所述凹槽的底部露出所述驱动背板的电极;
在所述凹槽内打印导电墨水;
将发光芯片的电极与所述凹槽内的导电墨水对位接触;
固化所述导电墨水,使得所述发光芯片的电极通过固化后的所述导电墨水与所述驱动背板的电极连接。
可选地,所述凹槽的个数为多个,不同凹槽的顶端位于同一水平面上;
所述凹槽沿垂直于所述驱动背板方向上的截面的形状为弧形、矩形、梯形或其他多边形。
可选地,在驱动背板的电极上方形成凹槽,包括:
在驱动背板的电极上方涂抹光刻胶;
对所述光刻胶进行图案化,使得所述光刻胶在所述驱动背板的电极处形成凹槽,所述凹槽的底部露出所述驱动背板的电极。
可选地,在所述凹槽内打印导电墨水,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的