[发明专利]光半导体装置

权利要求书

1.一种光半导体装置，其特征在于，具有：

光半导体元件；

厚度为1～300μm的透光性缓冲层，所述透光性缓冲层覆盖所述光半导体元件的光射出面的至少一部分，包含高硬度硅酮树脂硬化物；以及

柔软性封装层，所述柔软性封装层覆盖所述光半导体元件及透光性缓冲层，包含比所述透光性缓冲层硬度低的柔软性硅酮树脂硬化物。

2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述光半导体元件具有设置于光射出面的至少一部分处的电极、和与所述电极电性连接的引线。

3.权利要求1或2所述的光半导体装置，其特征在于，

所述透光性缓冲层的IRHD硬度是60以上，所述柔软性封装层的IRHD硬度是20以下。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的光半导体装置，其特征在于，

由所述透光性缓冲层的IRHD硬度/所述柔软性封装层的IRHD硬度表示的比为6以上。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的光半导体装置，其特征在于，

所述柔软性硅酮树脂硬化物或者高硬度硅酮树脂硬化物，由具有有机聚硅氧烷构造的室温下为液体的烷氧基低聚物的硬化物构成，所述烷氧基低聚物具有从下述结构单位选出的一种以上的结构单位作为必要构成成分：

由下述通式(1)表示的结构单位；

(R¹R²R³SiO_1/2) (1)

其中，R¹、R²及R³是分别独立的、相同或者各不相同的有机基；

由下述通式(2)表示的结构单位；

(R⁴R⁵SiO_2/2) (2)

其中，R⁴及R⁵是分别独立的、相同或者各不相同的有机基；

由下述通式(3)表示的结构单位；

(R⁶SiO_3/2) (3)

其中，R⁶是有机基；以及

由下述通式(4)表示的结构单位；

(SiO_4/2) (4)

并且，具有从下述结构单位中选出的一种以上的结构单位作为任意构成单位：

由下述通式(5)表示的结构单位；

(R⁷_a(OR⁸)_3－aSiO_1/2) (5)

其中，a是0、1或者2，R⁷及R⁸是分别独立的、相同或者各不相同的有机基，在包含多个R⁷或者R⁸的情况下，各R⁷或者R⁸彼此相同或者彼此不同；

由下述通式(6)表示的结构单位；

(R⁹_b(OR¹⁰)_2－bSiO_2/2) (6)

其中，b是0或者1，R⁹及R¹⁰是分别独立的、相同或者各不相同的有机基，在包含多个R¹⁰情况下，各R¹⁰彼此相同或者彼此不同；以及

由下述通式(7)表示的结构单位；

((OR¹¹)SiO_3/2) (7)

其中，R¹¹是有机基。