[发明专利]光半导体装置

说明书

本发明提供一种光半导体装置，其在发挥优良的耐热性和耐UV性的同时，可以极大地抑制与光半导体元件电性连接的引线的断线。光半导体装置，具有：光半导体元件；厚度为1～300μm的透光性缓冲层，所述透光性缓冲层覆盖所述光半导体元件的光射出面的至少一部分，包含高硬度硅酮树脂硬化物；以及柔软性封装层，所述柔软性封装层覆盖所述光半导体元件及透光性缓冲层，包含与所述透光性缓冲层相比硬度低的柔软性硅酮树脂硬化物。

技术领域

本发明涉及一种光半导体装置、例如紫外LED(Light Emitting Diode)。

背景技术

近年来，开发了蓝色LED或紫外LED等发出短波长光的LED，并已经实用。作为这种LED，例如，在当前使用荧光灯或白炽灯的一般照明的用途、当前使用短弧光灯(short arclamp)的紫外线硬化树脂、紫外线硬化墨水(UV curable ink)的硬化用光源的用途等中，其使用范围急剧扩大。

通常，LED具有在表面形成阳极(Anode)电极和阴极(Cathode)电极的LED芯片(LEDdie)。阳极电极和阴极电极分别与外部电极引线接合(wire bonding)，通过向外部电极通电从而使得LED芯片发光。

这种结构的LED中，如果LED芯片及极细的引线(例如直径30μm)向外部空间露出，则会担心引起LED芯片损伤或者引线断线，因此通常LED由封装材料(例如树脂)封装而使用。

另外，如果将LED由比空气折射率高的封装材料封装，则在LED芯片与封装材料之间的分界面处折射率差变小，因此将LED由封装材料封装对改善光的输出效率方面也有效。

作为这种封装材料，当前，在发出可见光的LED中，使用透明性高的环氧树脂(Epoxy resin)(例如参照专利文献1)，但对于发出短波长光的LED，如果使用当前所使用的环氧树脂，则由于短波长光、特别是从紫外线硬化树脂或紫外线硬化墨水的硬化用光源中使用的紫外LED照射的强紫外线，树脂自身会劣化，会产生着色或裂纹(crack)，光量容易降低。

因此，作为上述封装材料，提出了耐热性、耐光性优良的硅酮树脂(Siliconeresin)制的材料(例如参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003－176334号公报；

专利文献2：日本特开2010－059359号公报。

发明内容

发明所要解决的技术问题

作为可用于封装材料的硅酮树脂，除了在硬化处理后可以发挥柔软性的材料(柔软性硅酮树脂硬化物)之外，还可以举出在硬化处理后的硬度高的材料(高硬度硅酮树脂硬化物)，与柔软性硅酮树脂硬化物相比，高硬度硅酮树脂硬化物耐热性、耐UV性高，因此考虑由高硬度硅酮树脂硬化物将LED芯片及与LED芯片连接的引线整体埋设而进行封装。

但是，本发明人等通过研究发现，高硬度硅酮树脂硬化物虽然耐热性和耐UV性优良，但是由于硬度高，因此容易发生裂纹，在该裂纹产生时引线容易断线，并且因伴随光照射装置的亮灯、熄灯(伴随亮灯开关的ON－OFF)的高硬度硅酮树脂的膨胀和收缩，引线会产生金属疲劳而容易断线。

本发明就是鉴于上述情况，其目的在于，提供一种耐热性和耐UV性优良，可以极大地抑制与光半导体元件电性连接的引线的断线的光半导体装置。

解决技术问题的技术方案