[发明专利]显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于：所述显示面板包括：一玻璃基板；形成在所述玻璃基板上的一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一多晶硅层；形成在所述多晶硅层上的一栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的一栅极层；形成在所述栅极层上的一层间绝缘层；及形成在所述层间绝缘层的一源漏极接触层；

其中所述多晶硅层定义有一第一掺杂区域、一第二掺杂区域及一第三掺杂区域，且所述源漏极接触层接触所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域，所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域具有不同的掺杂类型，使得所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域形成一PN结构，而所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域具有相同的掺杂类型。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述第一掺杂区域为二N型重掺杂区，配置用以作为N⁺型层，所述第三掺杂区域为一P型掺杂区，配置用以作为P型层。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于：所述多晶硅层还定义有一非掺杂区，所述第二掺杂区域为二N型轻掺杂区，其中所述N型轻掺杂区分别位于所述非掺杂区的相对二侧。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于：所述N型重掺杂区及所述P型掺杂区所形成的PN结构定义为一非晶硅光电二极管，所述N型轻掺杂区、所述N型重掺杂区及所述栅极层定义为一薄膜晶体管。

5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于：所述非掺杂区与所述栅极层在所述玻璃基板的一投影重叠，所述P型掺杂区与所述N型重掺杂区在所述玻璃基板的一投影重叠。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述显示面板还包含一遮光层，所述遮光层形成在所述玻璃基板上，而且所述绝缘层覆盖在所述遮光层上。

7.一种如权利要求1的显示面板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括步骤：

一多晶硅层形成步骤，在一玻璃基板上沉积一绝缘层，并且在所述绝缘层形成一多晶硅层；

一第一掺杂区域掺杂步骤，在所述多晶硅层中定义出一第一掺杂区域，并对所述第一掺杂区域进行掺杂；

一第二掺杂区域掺杂步骤，依次沉积一栅极绝缘层及一第一金属层，并图案化所述第一金属层作为一栅极层，接着在所述多晶硅层中定义出一第二掺杂区域，并对所述第二掺杂区域进行掺杂，其中所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域具有相同的掺杂类型；

一第三掺杂区域掺杂步骤，在所述第一掺杂区域的一表面的一部分定义出一第三掺杂区域，并对所述第三掺杂区域进行掺杂，其中所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域具有不同的掺杂类型，使得所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域形成一PN结构；

一层间绝缘层形成步骤，沉积一层间绝缘层，并且在所述层间绝缘层上形成多个开孔；及

一源漏极接触层形成步骤，在所述开孔沉积一第二金属层，并图案化所述第二金属层作为一源漏极接触层，使得所述源漏极接触层接触所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：在所述第一掺杂区域掺杂步骤中，所述第一掺杂区域为二N型重掺杂区，其中对所述N型重掺杂区进行N型掺杂，使得所述N型重掺杂区转化为N⁺型层。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：在所述第二掺杂区域掺杂步骤中，所述第二掺杂区域为二N型轻掺杂区，并且对所述N型轻掺杂区进行N型掺杂，使得所述N型轻掺杂区转化为N^-型层。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于：在所述第三掺杂区域掺杂步骤中，所述第三掺杂区域为一P型掺杂区，其中对所述P型掺杂区进行P型掺杂，使得所述P型掺杂区转化为P型层，且所述P型层位于在所述N⁺型层上。