[发明专利]显示面板及其制造方法

说明书

本发明公开一种显示面板及其制造方法，所述显示面板包括一玻璃基板、一绝缘层、一多晶硅层、一栅极绝缘层、一栅极层、一层间绝缘层及一源漏极接触层，所述多晶硅层定义有一第一掺杂区域、一第二掺杂区域及一第三掺杂区域，且所述源漏极接触层接触所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域，所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域具有不同的掺杂类型，使得所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域形成一PN结构，而所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域具有相同的掺杂类型。

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其制造方法，特别是有关于一种用于触控的显示面板及其制造方法。

背景技术

现有技术中的医疗用非晶硅平板探测器即是一种传统光学传感器，包括非晶硅光电二极管与薄膜晶体管。如图1所示，为现有技术一种平板探测器像素单元的一示意图，在一透明基板11上形成有多个像素单元，每个像素单元包括：一薄膜晶体管12及一非晶硅光电二极管13，其中所述非晶硅光电二极管13包括：形成于所述透明基板11表面依次形成一第一遮光层131、一第一绝缘层132，一漏极电极层133，一N型层134，一中间层135，一P型层136以及一接触电极137。

进一步来说，一绝缘层14将所述薄膜晶体管12与所述非晶硅光电二极管13绝缘，在所述薄膜晶体管12以及部分无需光照的区域的绝缘层14表面形成有一第二遮光层15，在所述接触电极137上形成有连接电极16，在所述第二遮光层15及所述连接电极16的上方形成所述钝化层17。其中所述第一遮光层131与所述薄膜晶体管12的栅极在同一金属层，所述漏极电极层133与所述薄膜晶体管12的漏极在同一金属层。

然而，所述非晶硅光电二极管的主要部分为所述P型层136、所述中间层135以及所述N型层134的叠层，其中所述中间层135经过轻掺杂处理，因此，所述平板探测器的厚度近似于在所述薄膜晶体管12的漏极以上又叠加所述非晶硅光电二极管13的叠层厚度，而且所述非晶硅光电二极管的中间层135的厚度约为1微米，使得平板探测器的厚度较大，入射光在所述平板探测器的像素单元中的光程较长，容易进入相邻的像素单元而产生干扰。

另外，所述像素单元包括分开设置的所述薄膜晶体管12与非晶硅光电二极管13，其中所述薄膜晶体管12与非晶硅光电二极管13之间相隔有一距离，使得所述像素单元的占据面积较大，分辨率较低。此外，所述非晶硅光电二极管13需要在形成所述薄膜晶体管12之后单独制作，需要多个步骤成膜与光刻工艺，使得生产成本较高。

因此，有必要提供改良的一种显示面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板及其制造方法，利用在玻璃基板上以多晶硅形成所述薄膜晶体管，同时利用离子植入技术形成非晶硅光电二极管，使得指纹反射光的强弱变化可被非晶硅光电二极管识别。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括：一玻璃基板；形成在所述玻璃基板上的一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一多晶硅层；形成在所述多晶硅层上的一栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的一栅极层；形成在所述栅极层上的一层间绝缘层；及形成在所述层间绝缘层的一源漏极接触层；其中所述多晶硅层定义有一第一掺杂区域、一第二掺杂区域及一第三掺杂区域，且所述源漏极接触层接触所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域，所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域具有不同的掺杂类型，使得所述第一掺杂区域及所述第三掺杂区域形成一PN结构，而所述第一掺杂区域及所述第二掺杂区域具有相同的掺杂类型。

在本发明的一实施例中，所述第一掺杂区域为二N型重掺杂区，配置用以作为N⁺型层，所述第三掺杂区域为一P型掺杂区，配置用以作为P型层。

在本发明的一实施例中，所述多晶硅层还定义有一非掺杂区，所述第二掺杂区域为二N型轻掺杂区，其中所述N型轻掺杂区分别位于所述非掺杂区的相对二侧。