[发明专利]聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法

权利要求书

1.一种聚噻吩防静电硅系离型膜，包括基膜层和防静电离型层，所述基膜层为25～150微米的透明膜，在所述基膜层的表面填充有纳米级气相白炭黑，所述基膜层的外表面涂布贴合有防静电离型层；其特征在于，所述防静电离型层的涂布液成份中含有聚噻吩。

2.根据权利要求1所述的聚噻吩防静电硅系离型膜，其特征在于，所述防静电离型层的涂布液成份按重量份数配比为：30～50份甲苯、30～50份丁酮、1～10份有机硅油B057、1～10份有机硅油B037、0.5～1.5份硅烷偶联剂、1～10份辅料、0.05～5份聚噻吩、1～5固化剂。

3.根据权利要求2所述的聚噻吩防静电硅系离型膜，其特征在于，所述防静电离型层的涂布液成份按重量份数配比为：40份甲苯、40份丁酮、5份有机硅油B057、5份有机硅油B037、1份硅烷偶联剂、5份辅料、2份聚噻吩、2固化剂。

4.根据权利要求2所述的聚噻吩防静电硅系离型膜，其特征在于，所述有机硅油B057的分子量为40000～60000，粘度为18000～30000；其分子结构为：

5.根据权利要求2所述的聚噻吩防静电硅系离型膜，其特征在于，所述有机硅油B037的分子量为40000～60000，粘度为18000～30000；其分子结构为：

6.一种聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)配制溶剂：将甲苯和丁酮按比例混合均匀，制备得混合溶剂；

(2)配制离型液：在步骤(1)中制备的混合溶剂中加入反应性有机硅油B057和B037，搅拌15～30分钟，投入硅烷偶联剂，持续搅拌并投入辅料、聚噻吩、固化剂，搅拌均匀，制得防静电离型涂布液；

(3)在基膜层上涂布步骤(2)所配制的防静电离型涂布液，涂布完成后经100～150℃烘干，收卷成型，制得聚噻吩防静电硅系离型膜。

7.根据权利要求2所述的聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法，其特征在于，所述基膜层的材质为PET树脂或/和聚乙烯(PE)。

8.根据权利要求2所述的聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法，其特征在于，所述PET基膜层为透光率在95％以上，雾度为1.6～1.8％的PET膜体。

9.根据权利要求2所述的聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)在基膜层表面进行电晕，使其表面重度电晕化。

10.根据权利要求2所述的聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为KH550；所述辅料包括纳米级气相白炭黑、纳米级硅粉、平流剂C1-C4脂类化合物、附着剂XC-01中的一种或多种混合；固化剂为2％的氯铂酸催化剂。