[发明专利]聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法

说明书

本发明涉及一种聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法，该聚噻吩防静电硅系离型膜，包括基膜层和防静电离型层，基膜层为25～150微米的透明膜，在基膜层的表面填充有纳米级气相白炭黑，基膜层的外表面涂布贴合有防静电离型层；防静电离型层的成份中含有聚噻吩。用的聚噻吩防静电液技术；由于其结构单元为五中心六电子的大π键，有6个π电子，符合休克尔规则，六电子均能离域，电子离域流动，而结构单元之间的单键，由于诱导效应和δ‑π超共轭效应的存在，此单键有部分双键的特征，使整个体系拥有防静电能力；聚噻吩形成的轨道为圆/线交替型的，比起一般高分子防静电液线性轨道，由于圆形部分有两条电子轨道，其防静电能力更好且不易被破坏。

技术领域

本发明涉及一种离型膜技术领域，涉及一种聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法。

背景技术

离型膜，又称剥离膜、隔离膜、分离膜。通常情况下为了增加塑料薄膜的离型力，会将塑料薄膜做等离子处理,或涂氟处理,或涂硅(silicone)离型剂于薄膜材质的表层上，如PET、PE、OPP，等等；让它对于各种不同的有机压感胶(如热融胶、亚克力胶和橡胶系的压感胶)可以表现出极轻且稳定的离型力。由于离型膜具有隔离、填充、保护、易于剥离等优点，因此被广泛的应用于各种电子、通信、机械等领域中。硅系保护模是一款主要应用于保护电子产品的屏幕保护膜，现在主流的硅系统保护膜是PET硅胶屏幕保护膜，硅系保护膜不溶于水和绝大多数溶剂，吸附性能高，排气速度快、热稳定性好、化学性质稳定，有较高的机械强度，不容易掉粉，抗高低温(-50～120℃)。目前在硅系保护膜中，在现在通用的防静电体系内，主要有以下几类：

1)电子型防静电液，利用防静电液产生电子，使电子在一定区域内流动，可以使产生的静电对着电子的流动而导出，缺点是时效短，一旦涂层固化完全，防静电能力会急剧下降；

2)离子型防静电液，指防静电液产生粒子半径较小的粒子单位，多为正离子，LI⁺，Be²⁺等，这些正离子在一定区域内流动，也能导出产生的静电，缺点是造价太高，生产成本高，优点在于受固化情况影响较小；

3)第三种为有机防静电液，此类通常为高分子化合物，利用共轭π键等，形成一个带电粒子流动的轨道，这种防静电液形成的带电粒子轨道只能朝向一个方向进行，即为此高分子延伸的方向；比起无机防静电液，能更好的与硅油混合，使硅油涂层性能更稳定；但是防静电能力弱，一般为10¹¹Ω。

因此，有必要开发一种防静电性能高的聚噻吩防静电硅系离型膜及其制备方法。

发明内容

本发明的目的是提供一种防静电性能高的聚噻吩防静电硅系离型膜。

为解决上述技术问题，本发明采用的设计方案是，该聚噻吩防静电硅系离型膜，包括基膜层和防静电离型层，所述基膜层为25～150微米的透明膜，在所述基膜层的表面填充有纳米级气相白炭黑，所述基膜层的外表面涂布贴合有防静电离型层；其特征在于，所述防静电离型层的涂布液成份中含有聚噻吩。

采用上述技术方案，在基膜选材上，使用乐凯材料提供的透明膜，厚度在25或36或50或75或100或125或150μm，其表层有经过纳米级气相白炭黑填充，增加其耐磨性能；采用的聚噻吩防静电液技术，聚噻吩的分子式为由于其结构单元为五中心六电子的大π键，有6个π电子，符合休克尔规则，六电子均能离域，电子离域流动，而结构单元之间的单键，由于诱导效应和δ-π超共轭效应的存在，此单键有部分双键的特征，使整个体系拥有防静电能力；防静电轨道为沿虚线形成防静电轨道，聚噻吩形成的轨道为圆/线交替型的，比起一般高分子防静电液线性轨道，由于圆形部分有两条电子轨道，其防静电能力更好，不易被破坏；与一般的有机防静电液对比，其防静电能力更好，阻抗值能达到10⁹Ω，比常规有机防静电涂布液阻抗值小两个数量级左右；此外，这样直接使离型层具有防静电的功能，比传统的防静电层和离型层分开的省了成本，省了工艺，同时也更耐用。