[发明专利]荧光体及发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，其含有具有化学组成(Lu_1-p-q，Ce_p，M_q)_xβ_yγ_zO的晶体相，

所述M为Y，

所述β为Si，

所述γ为N，

所述x、y、z、p及q满足5.5≤x≤6.5、10.5≤y≤11.5、19.5≤z≤20.5、0p0.03及0≤q≤0.5，

所述荧光体的发光光谱在波长为540nm以上且600nm以下的范围内包含峰，

在所述发光光谱中，波长为500nm的成分的强度是所述峰的强度的25％以上。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述发光光谱在波长为550nm以上且600nm以下的范围内包含所述峰。

3.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述发光光谱的所述峰的半峰全宽为130nm以上。

4.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，在所述发光光谱中，波长为500nm的成分的强度低于所述峰的强度的100％。

5.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述荧光体的激发光谱在波长为360nm以上且390nm以下的范围内包含第一峰，在波长为410nm以上且440nm以下的范围内包含第二峰。

6.根据权利要求5所述的荧光体，其中，所述第一峰比所述第二峰大。

7.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述晶体相的1/e发光寿命为100ns以下。

8.根据权利要求7所述的荧光体，其中，所述晶体相的所述1/e发光寿命为50ns以下。

9.一种发光装置，其具备：

发出波长为440nm以上且460nm以下的光的激发光源，和

第一荧光体，其为被所述激发光源所发出的所述光激发而发光的权利要求1到8中任1项所述的荧光体。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，所述激发光源为LD。

11.一种发光装置，其具备：

作为发出波长为440nm以上且460nm以下的光的激发光源的LD光源、和

包含Ce³⁺作为发光中心的权利要求1到8中任1项所述的荧光体即第一荧光体，

所述第一荧光体被所述LD光源所发出的所述光激发而发光，

所述第一荧光体的发光光谱在波长为550nm以上且600nm以下的范围内包含峰，

所述发光光谱的所述峰的半峰全宽为130nm以上，

在所述发光光谱中，波长为500nm的成分的强度是所述峰的强度的25％以上。

12.一种发光装置，其具备：

作为发出波长为440nm以上且460nm以下的光的激发光源的LD光源、和

包含Ce³⁺作为发光中心的权利要求1到8中任1项所述的荧光体即第一荧光体，

所述第一荧光体被所述LD光源所发出的所述光激发而发光，

所述第一荧光体的发光光谱在波长为540nm以上且600nm以下的范围内包含峰，

所述发光光谱的所述峰的半峰全宽为130nm以上，

在所述发光光谱中，波长为500nm的成分的强度是所述峰的强度的25％以上，

在所述发光光谱中，波长为480nm的成分的强度是所述峰的强度的15％以上。

13.根据权利要求11或12所述的发光装置，其中，所述第一荧光体的母体材料为氧氮化物。