[发明专利]荧光体及发光装置

说明书

本发明提供可实现在波长为455nm以上且500nm以下的波长区域中光的缺失少、并且演色性高的白色光源的荧光体。本发明的一个方案的荧光体含有具有化学组成(Lusubgt;1‑p‑q/subgt;，Cesubgt;p/subgt;，Msubgt;q/subgt;)subgt;x/subgt;βsubgt;y/subgt;γsubgt;z/subgt;O的晶体相，上述M为选自由Y、La、Sc、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb组成的组中的一种或两种以上的元素，上述β包含上述β整体的90摩尔％以上的Si，上述γ包含上述γ整体的90摩尔％以上的N，上述x、y、z、p及q满足5.5≤x≤6.5、10.5≤y≤11.5、19.5≤z≤20.5、0p0.03及0≤q≤0.5。

技术领域

本发明涉及荧光体及发光装置。

背景技术

近年来，白色LED(Light Emitting Diode，发光二极管)及有机EL(ElectroLuminescence，电致发光)等固体光源逐渐被广泛使用。目前的一般的白色LED具有将作为蓝色发光元件的蓝色LED芯片与荧光体组合而得到的构成。在这样的一般的白色LED中，将来自蓝色LED芯片的光的一部分用荧光体进行颜色转换，将来自蓝色LED芯片的蓝色光与来自荧光体的发光混色而产生白色光。目前，蓝色LED芯片与黄色荧光体的组合是主流。以往，已知有如通式Y₃Al₅O₁₂：Ce³⁺(以下简记为YAG)或专利文献1中所示的通式La₃Si₆N₁₁：Ce³⁺(以下简记为LSN)那样包含Ce作为发光中心的黄色荧光体。另外，出于提高演色性及色再现性等目的、或得到色温度低的白色的目的，进行了除了蓝色光源和黄色荧光体以外还组合了红色荧光体的白色光源的开发。作为红色荧光体，已知有如专利文献2中所示的通式(Sr，Ca)AlSiN₃：Eu²⁺(以下简记为CASN)那样包含Eu作为发光中心的红色荧光体。再近年来，进行了利用LD(Laser Diode，激光二极管)与荧光体的组合的高输出功率白色发光装置的开发。

黄色荧光体YAG由于发光的量子效率高，并且即使以高输出功率LED或LD激发、发光的量子效率也几乎没有变化，所以被搭载于几乎全部的白色光源中。另一方面，对于红色荧光体CASN来说，存在若以高输出功率光激发则发光的量子效率下降的问题。这是由于：包含Eu作为发光中心的荧光体与包含Ce作为发光中心的荧光体相比发光寿命长，因而在高输出功率激发时容易亮度饱和。因此，在使激发光源的光量发生变化时，发光色会发生变化。另外，在任一个荧光体发生劣化的情况下，均会产生发光色变化的问题。

进而，LD与LED相比半峰全宽变得非常窄。因此，在蓝色LD与以往一直使用的黄色荧光体组合的情况下，存在LD发光与黄色荧光体发光之间的波长区域(特别是波长为455nm以上且500nm以下)的光缺失这样的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4459941号公报

专利文献2：日本专利第3837588号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明提供可实现在波长为455nm以上且500nm以下的波长区域中光的缺失少、并且演色性高的白色光源的荧光体。

用于解决技术的手段