[发明专利]带有电磁屏蔽的双面模块在审
申请号: | 201811136918.3 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109585421A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 戴维·艾伦·扬德金斯基;托马斯·斯科特·莫里斯;布赖恩·霍华德·卡尔霍恩 | 申请(专利权)人: | QORVO美国公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;田喜庆 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 双面模块 第二模 第一模块 电磁屏蔽 接地平面 屏蔽结构 顶表面 触点 电子部件 驻留 侧表面 第一模 电耦合 屏蔽 包封 暴露 | ||
1.一种设备,其包括:
模块,所述模块包括具有接地平面的模块衬底、至少一个顶部电子部件、第一模制化合物、多个第一模块触点以及第二模制化合物,其中:
·所述至少一个顶部电子部件附接到所述模块衬底的顶表面,并且所述多个第一模块触点中的每一个形成在所述模块衬底的底表面处;
·所述第一模制化合物驻留在所述模块衬底的所述顶表面上并且包封所述至少一个顶部电子部件;
·所述第二模制化合物驻留在所述模块衬底的所述底表面上,其中所述多个第一模块触点中的每一个通过所述第二模制化合物暴露;并且
·所述模块的顶表面是所述第一模制化合物的顶表面,所述模块的底表面是所述第二模制化合物的底表面,并且所述模块的侧表面是所述第一模制化合物的侧表面、所述模块衬底的侧表面以及所述第二模制化合物的侧表面的组合;以及
·屏蔽结构,所述屏蔽结构完全覆盖所述模块的所述顶表面和所述模块的所述侧表面,其中所述屏蔽结构电耦合到所述模块衬底内的所述接地平面。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述模块还包括至少一个底部电子部件,所述底部电子部件附接到所述模块衬底的所述底表面,其中:
·所述多个第一模块触点中的每一个都高于所述至少一个底部电子部件;并且
·所述第二模制化合物包封所述至少一个底部电子部件。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述模块还包括多个第二模块触点,所述第二模块触点形成在所述模块衬底的所述底表面处,其中:
·所述多个第二模块触点中的每一个都高于所述至少一个底部电子部件;
·所述多个第二模块触点中的每一个通过所述第二模制化合物暴露;并且
·所述多个第一模块触点中的每一个电耦合到所述接地平面并且与所述多个第二模块触点电隔离。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述模块的所述底表面未由所述屏蔽结构覆盖。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述屏蔽结构包括:
·第一层,所述第一层完全覆盖所述模块的所述顶表面和所述模块的所述侧表面,其中所述第一层由铜、铝、银或金形成;以及
·第二层,所述第二层在所述第一层上并且由镍形成。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述第一层的厚度在3μm与16μm之间。
7.根据权利要求5所述的设备,其中所述第二层的厚度在1μm与3μm之间。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述屏蔽结构包括:
·晶种层,所述晶种层完全覆盖所述模块的所述顶表面和所述模块的所述侧表面,其中所述晶种层由铜、铝、银或金形成;
·第一层,所述第一层在所述晶种层上并且由铜、铝、银或金形成;以及
·第二层,所述第二层在所述第一层上并且由镍形成。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述模块衬底还包括至少一个导电元件,所述导电元件通过通孔结构电耦合到所述接地平面,其中所述至少一个导电元件被定位在所述模块衬底的外周处并且通过所述模块衬底的所述侧表面暴露,使得所述屏蔽结构与所述至少一个导电元件接触。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述多个第一模块触点通过所述通孔结构电耦合到所述接地平面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于QORVO美国公司,未经QORVO美国公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811136918.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种抗电迁移的金属层结构及其工艺方法
- 下一篇:阵列基板及其制造方法